Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники

Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники - 67-989-0
Многокомпонентные висмутсодержащие твердые растворы А3 В5 , полученные в поле температурного градиента
Многокомпонентные висмутсодержащие твердые растворы А3 В5 , полученные в поле температурного градиента
99 000 UZS
Автор
Алфимова Диана Леонидовна
Количество страниц
Год
2000
Ленгмюровское испарение фосфора из растворов-расплавов фосфидов индия и галлия
Ленгмюровское испарение фосфора из растворов-расплавов фосфидов индия и галлия
99 000 UZS
Автор
Борисова, Ирина Владимировна
Количество страниц
Год
2000
Адгезия фоторезисторов и её влияние на процессы фотолитографии
Адгезия фоторезисторов и её влияние на процессы фотолитографии
99 000 UZS
Автор
Мальцев, Владимир Петрович
Количество страниц
Год
2000
Исследование структурного совершенства и путей повышения качества бездислокационных монокристаллов кремния диаметром 100 мм, полученных методом Чохральского в условиях отечественного производства
Исследование структурного совершенства и путей повышения качества бездислокационных монокристаллов кремния диаметром 100 мм, полученных методом Чохральского в условиях отечественного производства
99 000 UZS
Автор
Вотинцева, Елена Евгеньевна
Количество страниц
Год
2000
Получение слоев металлов и полупроводников сублимацией в ультратонком вакуумном промежутке
Получение слоев металлов и полупроводников сублимацией в ультратонком вакуумном промежутке
99 000 UZS
Автор
Плющев, Дмитрий Юрьевич
Количество страниц
Год
2000
Разработка информационного обеспечения вакуумных процессов создания пленочных композиций
Разработка информационного обеспечения вакуумных процессов создания пленочных композиций
99 000 UZS
Автор
Чикирякин Алексей Анатольевич
Количество страниц
Год
2000
Разработка технологических процессов и оборудования для операций гальванического осаждения в производстве электронной техники
Разработка технологических процессов и оборудования для операций гальванического осаждения в производстве электронной техники
99 000 UZS
Автор
Юзвишин, Виктор Францович
Количество страниц
Год
2000
Разработка полупроводниковых материалов для приборов ночного наблюдения и промышленной технологии их производства
Разработка полупроводниковых материалов для приборов ночного наблюдения и промышленной технологии их производства
99 000 UZS
Автор
Пинчук Игорь Владимирович
Количество страниц
Год
2001
Получение и исследование свойств наногетерогенных структур на основе системы вольфрам-углерод
Получение и исследование свойств наногетерогенных структур на основе системы вольфрам-углерод
99 000 UZS
Автор
Чмырова Ольга Леонидовна
Количество страниц
Год
2001
Разработка и исследование гетероструктур InP/InGaAsP для систем волоконно-оптических линий связи и промышленной технологии их производства
Разработка и исследование гетероструктур InP/InGaAsP для систем волоконно-оптических линий связи и промышленной технологии их производства
99 000 UZS
Автор
Науменко Наталья Васильевна
Количество страниц
Год
2001
Особенности некоторых соединений с нестабильной решеткой для устройств электронной техники
Особенности некоторых соединений с нестабильной решеткой для устройств электронной техники
99 000 UZS
Автор
Шевченко, Анатолий Дмитриевич
Количество страниц
Год
2000
Исследование и разработка процессов термообработки полупроводниковых материалов для специального применения
Исследование и разработка процессов термообработки полупроводниковых материалов для специального применения
99 000 UZS
Автор
Шагаров Борис Анатольевич
Количество страниц
Год
2000
Разработка способов повышения эффективности пьезокерамических материалов для устройств электронной техники
Разработка способов повышения эффективности пьезокерамических материалов для устройств электронной техники
99 000 UZS
Автор
Мараховский Михаил Алексеевич
Количество страниц
Год
2014
Технология получения и электрофизические свойства тонких пленок материалов системы Ge-Sb-Te, предназначенных для устройств фазовой памяти
Технология получения и электрофизические свойства тонких пленок материалов системы Ge-Sb-Te, предназначенных для устройств фазовой памяти
99 000 UZS
Автор
Лазаренко Петр Иванович
Количество страниц
Год
2014
Выращивание, электрические и магнитные свойства монокристаллов мультиферроидных фаз системы Li2CuO2-CuOx
Выращивание, электрические и магнитные свойства монокристаллов мультиферроидных фаз системы Li2CuO2-CuOx
99 000 UZS
Автор
Каменцев, Константин Евгеньевич
Количество страниц
Год
2013
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3