Технические науки

Технические науки - 67-0-0
Моделирование и получение твердых растворов InAlGaPAs на подложках GaAs и InP
Моделирование и получение твердых растворов InAlGaPAs на подложках GaAs и InP
99 000 UZS
Автор
Столярова Валентина Вячеславовна
Количество страниц
Год
2002
Разработка технологии формирования и исследование протонообменных световодных структур в конгруэнтных и легированных оксидом магния кристаллах ниобата лития
Разработка технологии формирования и исследование протонообменных световодных структур в конгруэнтных и легированных оксидом магния кристаллах ниобата лития
99 000 UZS
Автор
Масленников Евгений Ильич
Количество страниц
Год
2004
Структурная динамика многокомпонентных твердых растворов соединений A3 B5 и A4 B6 , формируемых в поле температурного градиента
Структурная динамика многокомпонентных твердых растворов соединений A3 B5 и A4 B6 , формируемых в поле температурного градиента
99 000 UZS
Автор
Труфманов Алексей Петрович
Количество страниц
Год
2001
Получение и исследование керамических структур для приборов метрологии
Получение и исследование керамических структур для приборов метрологии
99 000 UZS
Автор
Шарин Андрей Геннадьевич
Количество страниц
Год
2001
Солнечные элементы на основе аморфного гидрогенизированного кремния, полученные в низкочастотном тлеющем разряде
Солнечные элементы на основе аморфного гидрогенизированного кремния, полученные в низкочастотном тлеющем разряде
99 000 UZS
Автор
Черномордик Владимир Дмитриевич
Количество страниц
Год
2001
Выращивание и некоторые свойства кристаллов розового фосфорсодежащего кварца
Выращивание и некоторые свойства кристаллов розового фосфорсодежащего кварца
99 000 UZS
Автор
Емельченко Александр Геннадьевич
Количество страниц
Год
2001
Выращивание многокомпонентных твердых растворов соединений А3 В5 в области термодинамической неустойчивости методом зонной перекристаллизации градиентом температуры
Выращивание многокомпонентных твердых растворов соединений А3 В5 в области термодинамической неустойчивости методом зонной перекристаллизации градиентом температуры
99 000 UZS
Автор
Ермолаева Наталия Вячеславовна
Количество страниц
Год
2001
Получение кристаллов новых сверхпроводящих, сегнетоэлектрических и родственных фаз оксидных систем, изучение их структуры и свойств
Получение кристаллов новых сверхпроводящих, сегнетоэлектрических и родственных фаз оксидных систем, изучение их структуры и свойств
99 000 UZS
Автор
Буш Александр Андреевич
Количество страниц
Год
2006
Материалы и процессы формирования многослойной металлизации кремниевых СБИС
Материалы и процессы формирования многослойной металлизации кремниевых СБИС
99 000 UZS
Автор
Громов, Дмитрий Геннадьевич
Количество страниц
Год
2000
Разработка травильных композиций и технологических процессов формирования полированных поверхностей подкладок арсенида и антимонида индия для устройств ИЧ-техники
Разработка травильных композиций и технологических процессов формирования полированных поверхностей подкладок арсенида и антимонида индия для устройств ИЧ-техники
99 000 UZS
Автор
Даниленко, Светлана Григорьевна
Количество страниц
Год
2000
Разработка и исследование технологических процессов анодного сращивания полупроводниковых структур
Разработка и исследование технологических процессов анодного сращивания полупроводниковых структур
99 000 UZS
Автор
Дьячков, Сергей Александрович
Количество страниц
Год
2000
Разработка технологии пластин полупроводниковых соединений A^III B^V современной точности обработки
Разработка технологии пластин полупроводниковых соединений A^III B^V современной точности обработки
99 000 UZS
Автор
Мальвинова Ольга Валерьевна
Количество страниц
Год
2004
Технологические задачи повышения вибротермопрочности кристаллических сцинтилляционных детекторов
Технологические задачи повышения вибротермопрочности кристаллических сцинтилляционных детекторов
99 000 UZS
Автор
Мельник, Виктор Иванович
Количество страниц
Год
2000
Исследование процессов формирования и защиты поверхности планарных p-n переходов и модернизация базовой технологии изготовления фотодиодов на основе InSb
Исследование процессов формирования и защиты поверхности планарных p-n переходов и модернизация базовой технологии изготовления фотодиодов на основе InSb
99 000 UZS
Автор
Талимов Алексей Владимирович
Количество страниц
Год
2001
Управление ростом кристаллов арсенидов галлия и индия путем низкоэнергетических воздействий
Управление ростом кристаллов арсенидов галлия и индия путем низкоэнергетических воздействий
99 000 UZS
Автор
Косушкин, Виктор Григорьевич
Количество страниц
Год
2000
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3