Технические науки

Технические науки - 67-0-0
Влияние геометрических и температурных факторов на сублимационный массоперенос в микроразмерных ростовых ячейках : технологические аспекты
Влияние геометрических и температурных факторов на сублимационный массоперенос в микроразмерных ростовых ячейках : технологические аспекты
99 000 UZS
Автор
Чеботарев Сергей Николаевич
Количество страниц
Год
2007
Формирование многокомпонентных твердых растворов GaSb<Bi> и GaInSb<Bi> для инжекционных излучателей ИК-диапазона
Формирование многокомпонентных твердых растворов GaSb и GaInSb для инжекционных излучателей ИК-диапазона
99 000 UZS
Автор
Севостьянов Александр Сергеевич
Количество страниц
Год
2005
Оптические и электрофизические свойства тонких нанострктурных пленок Sn-O-In, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления
Оптические и электрофизические свойства тонких нанострктурных пленок Sn-O-In, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления
99 000 UZS
Автор
Воронов Павел Евгеньевич
Количество страниц
Год
2009
Моделирование и оптимизация параметров технологических процессов химического осаждения тонких пленок из газовой фазы в производстве приборов электронной техники
Моделирование и оптимизация параметров технологических процессов химического осаждения тонких пленок из газовой фазы в производстве приборов электронной техники
99 000 UZS
Автор
Каратунов Юрий Владимирович
Количество страниц
Год
2003
Проходная оптика мощных широкоапертурных импульсных лазеров среднего ИК диапазона
Проходная оптика мощных широкоапертурных импульсных лазеров среднего ИК диапазона
99 000 UZS
Автор
Казанцев Сергей Геннадьевич
Количество страниц
Год
2002
Кристаллизация твердых растворов InSbBi, AllnSbBi и AlGaInSbBi с заданным энергетическим спектром в поле температурного градиента
Кристаллизация твердых растворов InSbBi, AllnSbBi и AlGaInSbBi с заданным энергетическим спектром в поле температурного градиента
99 000 UZS
Автор
Благина Лариса Васильевна
Количество страниц
Год
2001
Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных гетероструктур арсенида галлия-алюминия для преобразователя-генератора импульсов света
Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных гетероструктур арсенида галлия-алюминия для преобразователя-генератора импульсов света
99 000 UZS
Автор
Образцов Андрей Александрович
Количество страниц
Год
2001
Многокомпонентные висмутсодержащие твердые растворы А3 В5 , полученные в поле температурного градиента
Многокомпонентные висмутсодержащие твердые растворы А3 В5 , полученные в поле температурного градиента
99 000 UZS
Автор
Алфимова Диана Леонидовна
Количество страниц
Год
2000
Ленгмюровское испарение фосфора из растворов-расплавов фосфидов индия и галлия
Ленгмюровское испарение фосфора из растворов-расплавов фосфидов индия и галлия
99 000 UZS
Автор
Борисова, Ирина Владимировна
Количество страниц
Год
2000
Адгезия фоторезисторов и её влияние на процессы фотолитографии
Адгезия фоторезисторов и её влияние на процессы фотолитографии
99 000 UZS
Автор
Мальцев, Владимир Петрович
Количество страниц
Год
2000
Исследование структурного совершенства и путей повышения качества бездислокационных монокристаллов кремния диаметром 100 мм, полученных методом Чохральского в условиях отечественного производства
Исследование структурного совершенства и путей повышения качества бездислокационных монокристаллов кремния диаметром 100 мм, полученных методом Чохральского в условиях отечественного производства
99 000 UZS
Автор
Вотинцева, Елена Евгеньевна
Количество страниц
Год
2000
Получение слоев металлов и полупроводников сублимацией в ультратонком вакуумном промежутке
Получение слоев металлов и полупроводников сублимацией в ультратонком вакуумном промежутке
99 000 UZS
Автор
Плющев, Дмитрий Юрьевич
Количество страниц
Год
2000
Разработка информационного обеспечения вакуумных процессов создания пленочных композиций
Разработка информационного обеспечения вакуумных процессов создания пленочных композиций
99 000 UZS
Автор
Чикирякин Алексей Анатольевич
Количество страниц
Год
2000
Разработка технологических процессов и оборудования для операций гальванического осаждения в производстве электронной техники
Разработка технологических процессов и оборудования для операций гальванического осаждения в производстве электронной техники
99 000 UZS
Автор
Юзвишин, Виктор Францович
Количество страниц
Год
2000
Разработка полупроводниковых материалов для приборов ночного наблюдения и промышленной технологии их производства
Разработка полупроводниковых материалов для приборов ночного наблюдения и промышленной технологии их производства
99 000 UZS
Автор
Пинчук Игорь Владимирович
Количество страниц
Год
2001
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3