Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
Поведение анодного оксида алюминия в условиях радиационного облучения
Поведение анодного оксида алюминия в условиях радиационного облучения
99 000 UZS
Автор
Демчук, Виктор Александрович
Количество страниц
Год
Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния
Рост слитков и эволюция пор в карбиде кремния
99 000 UZS
Автор
Дорожкин, Сергей Иванович
Количество страниц
Год
Магнитные свойства редкоземельных ферритов-гранатов самария и европия, влияние смешивания мультиплетов
Магнитные свойства редкоземельных ферритов-гранатов самария и европия, влияние смешивания мультиплетов
99 000 UZS
Автор
Дорофеев, Олег Александрович
Количество страниц
Год
Исследование реактивного ионного травления как метода создания элементов оптоэлектронных устройств
Исследование реактивного ионного травления как метода создания элементов оптоэлектронных устройств
99 000 UZS
Автор
Дулькин, Александр Евгеньевич
Количество страниц
Год
Динамические и спектральные свойства полупроводниковых интегрально-оптических лазерных излучателей
Динамические и спектральные свойства полупроводниковых интегрально-оптических лазерных излучателей
99 000 UZS
Автор
Аврутин, Евгений Александрович
Количество страниц
Год
Связанные состояния дырок и электронно-дырочных комплексов в алмазоподобных полупроводниках
Связанные состояния дырок и электронно-дырочных комплексов в алмазоподобных полупроводниках
99 000 UZS
Автор
Родина, Анна Валерьевна
Количество страниц
Год
Люминесцентные, электрические и фотоэлектрические свойства неидеальных гетероструктур InGaAsP/InP
Люминесцентные, электрические и фотоэлектрические свойства неидеальных гетероструктур InGaAsP/InP
99 000 UZS
Автор
Страхов, Валерий Александрович
Количество страниц
Год
Эффекты пространственной локализации электронных состояний и электрической неоднородности границы раздела при термоактивационном анализе Si-МОП-структур
Эффекты пространственной локализации электронных состояний и электрической неоднородности границы раздела при термоактивационном анализе Si-МОП-структур
99 000 UZS
Автор
Сумарока, Александр Михайлович
Количество страниц
Год
Фазовые переходы в окислах и сульфидах переходных металлов и их техническое использование
Фазовые переходы в окислах и сульфидах переходных металлов и их техническое использование
99 000 UZS
Автор
Теруков, Евгений Иванович
Количество страниц
Год
Влияние точечных дефектов и концентрационных неоднородностей на свойства монокристаллических пленок магнитных гранатов
Влияние точечных дефектов и концентрационных неоднородностей на свойства монокристаллических пленок магнитных гранатов
99 000 UZS
Автор
Ткалич, Александр Константинович
Количество страниц
Год
Эффективность введения радиационных дефектов в кремнии и структурах на его основе в условиях применения радиационно-технологических процессов
Эффективность введения радиационных дефектов в кремнии и структурах на его основе в условиях применения радиационно-технологических процессов
99 000 UZS
Автор
Сагдуллаев, Хусан Усманович
Количество страниц
Год
Геттерирование и пассивация примесей и радиационных дефектов в кремнии
Геттерирование и пассивация примесей и радиационных дефектов в кремнии
99 000 UZS
Автор
Эмексузян, Вячеслав Мелконович
Количество страниц
Год
Механизм насыщения поглощения в монокристаллах селенида цинка
Механизм насыщения поглощения в монокристаллах селенида цинка
99 000 UZS
Автор
Гапоненко Сергей Васильевич
Количество страниц
Год
Влияние давления на гальваномагнитные свойства полупроводниковых соединений TlSe и его аналогов
Влияние давления на гальваномагнитные свойства полупроводниковых соединений TlSe и его аналогов
99 000 UZS
Автор
Гасымов Шафаг Гусейн оглы
Количество страниц
Год
Инерционность междолинного перераспределения электронов в германии и кремнии
Инерционность междолинного перераспределения электронов в германии и кремнии
99 000 UZS
Автор
Гинтилас, Шарунас Здиславович
Количество страниц
Год
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3