Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
Неравновесные эффекты и нестационарный электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах с межчастичным взаимодействием
Неравновесные эффекты и нестационарный электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах с межчастичным взаимодействием
99 000 UZS
Автор
Манцевич Владимир Николаевич
Количество страниц
Год
2014
Процессы рекомбинации и разогрева носителей заряда в наноструктурах с квантовыми ямами
Процессы рекомбинации и разогрева носителей заряда в наноструктурах с квантовыми ямами
99 000 UZS
Автор
Винниченко, Максим Яковлевич
Количество страниц
Год
2013
Исследование распределения концентрации свободных носителей заряда в полупроводниковых материалах и структурах с использованием атомно-силовой микроскопии
Исследование распределения концентрации свободных носителей заряда в полупроводниковых материалах и структурах с использованием атомно-силовой микроскопии
99 000 UZS
Автор
Кусакин Дмитрий Сергеевич
Количество страниц
Год
2017
Анализ генерационно-рекомбинационных и туннельно-рекомбинационных процессов в областях пространственного заряда сложных полупроводниковых структур по экспериментальным вольтамперным характеристикам
Анализ генерационно-рекомбинационных и туннельно-рекомбинационных процессов в областях пространственного заряда сложных полупроводниковых структур по экспериментальным вольтамперным характеристикам
99 000 UZS
Автор
Ермаков, Михаил Сергеевич
Количество страниц
Год
2013
Структурные, оптические и фотоэлектрические свойства аморфного кремния, модифицированного фемтосекундным лазерным излучением
Структурные, оптические и фотоэлектрические свойства аморфного кремния, модифицированного фемтосекундным лазерным излучением
99 000 UZS
Автор
Емельянов, Андрей Вячеславович
Количество страниц
Год
2013
Поверхностные явления и наноразмерные эффекты при кристаллизации в гетерофазных системах
Поверхностные явления и наноразмерные эффекты при кристаллизации в гетерофазных системах
99 000 UZS
Автор
Каневский, Владимир Михайлович
Количество страниц
Год
2013
Исследование полупроводниковых наноструктур на основе систем InGaAs/GaAs, InAs/InGaAs/GaAs и микроструктур на основе соединения Ge2Sb2Te5 методом спектроскопии низкочастотного шума
Исследование полупроводниковых наноструктур на основе систем InGaAs/GaAs, InAs/InGaAs/GaAs и микроструктур на основе соединения Ge2Sb2Te5 методом спектроскопии низкочастотного шума
99 000 UZS
Автор
ЕРМАЧИХИН АЛЕКСАНДР ВАЛЕРЬЕВИЧ
Количество страниц
Год
2014
Исследование одноуровневого и многоуровневого режимов генерации в полупроводниковых лазерах на основе квантовых точек InAs/InGaAs
Исследование одноуровневого и многоуровневого режимов генерации в полупроводниковых лазерах на основе квантовых точек InAs/InGaAs
99 000 UZS
Автор
Коренев, Владимир Владимирович
Количество страниц
Год
2013
Анизотропный рост кластеров магнитного силицида Fe3Si в кремнии: физическая модель и компьютерный эксперимент
Анизотропный рост кластеров магнитного силицида Fe3Si в кремнии: физическая модель и компьютерный эксперимент
99 000 UZS
Автор
Балакирев Никита Александрович
Количество страниц
Год
2014
Получение и исследование оптических свойств нитевидных полупроводниковых оксидов SnO2 и In2O3
Получение и исследование оптических свойств нитевидных полупроводниковых оксидов SnO2 и In2O3
99 000 UZS
Автор
Номери Мохамед Абасс Хадия
Количество страниц
Год
2011
Синтез III-N микро- и наноструктур методом МОГФЭ на подложках сапфира и кремния
Синтез III-N микро- и наноструктур методом МОГФЭ на подложках сапфира и кремния
99 000 UZS
Автор
Рожавская Мария Михайловна
Количество страниц
Год
2014
Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия
Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия
99 000 UZS
Автор
Пономарев, Иван Викторович
Количество страниц
Год
2011
Одномерная электронная жидкость на краю двумерной электронной системы в режиме квантового эффекта Холла
Одномерная электронная жидкость на краю двумерной электронной системы в режиме квантового эффекта Холла
99 000 UZS
Автор
Девятов, Эдуард Валентинович
Количество страниц
Год
2013
Взаимодействие экситонов и носителей заряда в электрическом поле поверхностной акустической волны в GaAs/AlAs сверхрешетках второго рода
Взаимодействие экситонов и носителей заряда в электрическом поле поверхностной акустической волны в GaAs/AlAs сверхрешетках второго рода
99 000 UZS
Автор
Гуляев, Дмитрий Владимирович
Количество страниц
Год
2013
Исследование динамики решетки низкоразмерных реальных структур на основе GaAs/ALAs методом численного эксперимента
Исследование динамики решетки низкоразмерных реальных структур на основе GaAs/ALAs методом численного эксперимента
99 000 UZS
Автор
Сачков, Виктор Анатольевич
Количество страниц
Год
2011
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3