Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
Люминесцентная спектроскопия электронных и примесных состояний в эпитаксиальных слоях и наногетероструктурах на основе полупроводников AIIIBV и их твердых растворов
Люминесцентная спектроскопия электронных и примесных состояний в эпитаксиальных слоях и наногетероструктурах на основе полупроводников AIIIBV и их твердых растворов
99 000 UZS
Автор
Яременко, Наталья Георгиевна
Количество страниц
Год
2013
Новые полупроводниковые материалы на основе соединений A3B5 для оптоэлектронных устройств на длины волн 3 - 5 мкм
Новые полупроводниковые материалы на основе соединений A3B5 для оптоэлектронных устройств на длины волн 3 - 5 мкм
99 000 UZS
Автор
Гагис, Галина Сергеевна
Количество страниц
Год
2010
Моделирование многостадийного термического окисления кремния и образования фиксированного заряда
Моделирование многостадийного термического окисления кремния и образования фиксированного заряда
99 000 UZS
Автор
Дусь, Андрей Игоревич
Количество страниц
Год
2010
Структурные и оптические свойства нанокластеров кремния в матрице субоксида кремния
Структурные и оптические свойства нанокластеров кремния в матрице субоксида кремния
99 000 UZS
Автор
Маслова Наталья Евгеньевна
Количество страниц
Год
2010
Теория резонансных фотонных кристаллов и квазикристаллов
Теория резонансных фотонных кристаллов и квазикристаллов
99 000 UZS
Автор
Поддубный, Александр Никитич
Количество страниц
Год
2010
Электронные, оптические и механические свойства кристаллов Ga1-x(Inx, Alx)Se, GaSe1-x(Sx, Tex) нелинейной оптики терагерцового диапазона
Электронные, оптические и механические свойства кристаллов Ga1-x(Inx, Alx)Se, GaSe1-x(Sx, Tex) нелинейной оптики терагерцового диапазона
99 000 UZS
Автор
Саркисов Сергей Юрьевич
Количество страниц
Год
2010
Нелинейные колебательные системы на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур
Нелинейные колебательные системы на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структур
99 000 UZS
Автор
Куликов, Олег Николаевич
Количество страниц
Год
2012
Исследование самоорганизации структуры поверхности неупорядоченных полупроводниковых материалов
Исследование самоорганизации структуры поверхности неупорядоченных полупроводниковых материалов
99 000 UZS
Автор
Авачева Татьяна Геннадиевна
Количество страниц
Год
2009
Туннельные и магнитные спин-зависимые эффекты в кубических полупроводниках без центра инверсии
Туннельные и магнитные спин-зависимые эффекты в кубических полупроводниках без центра инверсии
99 000 UZS
Автор
Алексеев Павел Сергеевич
Количество страниц
Год
2009
Спектроскопия глубоких уровней в полупроводниковых структурах
Спектроскопия глубоких уровней в полупроводниковых структурах
99 000 UZS
Автор
Бормонтов, Александр Евгеньевич
Количество страниц
Год
2010
Применение модели U-минус-центров к объяснению транспортных свойств нормальной фазы халькогенидных стеклообразных полупроводников и высокотемпературных сверхпроводников
Применение модели U-минус-центров к объяснению транспортных свойств нормальной фазы халькогенидных стеклообразных полупроводников и высокотемпературных сверхпроводников
99 000 UZS
Автор
Барыгин Илья Алексеевич
Количество страниц
Год
2009
Оптические и электрические свойства полупроводниковых структур на основе молекулярных комплексов фталоцианинов, содержащих ионы лантанидов в качестве комплексообразователя
Оптические и электрические свойства полупроводниковых структур на основе молекулярных комплексов фталоцианинов, содержащих ионы лантанидов в качестве комплексообразователя
99 000 UZS
Автор
Белогорохов Иван Александрович
Количество страниц
Год
2009
Управление электрофизическими параметрами слоев карбида кремния и создание приборов для эксплуатации в экстремальных условиях
Управление электрофизическими параметрами слоев карбида кремния и создание приборов для эксплуатации в экстремальных условиях
99 000 UZS
Автор
Калинина Евгения Викторовна
Количество страниц
Год
2009
Исследование морфологии и электронных свойств поверхности пленок AIIIBV и контактов металла/AIIIBV методом атомно-силовой микроскопии
Исследование морфологии и электронных свойств поверхности пленок AIIIBV и контактов металла/AIIIBV методом атомно-силовой микроскопии
99 000 UZS
Автор
Новиков, Вадим Александрович
Количество страниц
Год
2010
Ширина линии экситона и его интегральное поглощение в квазибинарных твердых растворах Al(x)Ga(1-x)As
Ширина линии экситона и его интегральное поглощение в квазибинарных твердых растворах Al(x)Ga(1-x)As
99 000 UZS
Автор
Маркосов Максим Сергеевич
Количество страниц
Год
2009
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3