Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
Влияние одноосной деформации на физические свойства соединений типа Сu2S и Cu2Se
Влияние одноосной деформации на физические свойства соединений типа Сu2S и Cu2Se
99 000 UZS
Автор
Ибрагимов Нураддин Азиз оглы
Количество страниц
Год
Высокочастотные и тепловые свойства идеальных и примесных антиферромагнитных диэлектриков
Высокочастотные и тепловые свойства идеальных и примесных антиферромагнитных диэлектриков
99 000 UZS
Автор
Гусейнов Наби Гара оглы
Количество страниц
Год
Получение и исследование структурно совершенных pn-переходов на карбиде кремния политипа 6Н
Получение и исследование структурно совершенных pn-переходов на карбиде кремния политипа 6Н
99 000 UZS
Автор
Константинов Андрей Олегович
Количество страниц
Год
Акустическая микроскопия твердотельных структур
Акустическая микроскопия твердотельных структур
99 000 UZS
Автор
Кулаков Михаил Александрович
Количество страниц
Год
Дислокационная структура монокристаллов карбида кремния в связи с условиями их роста
Дислокационная структура монокристаллов карбида кремния в связи с условиями их роста
99 000 UZS
Автор
Левчук Богдан Иосифович
Количество страниц
Год
Явления переноса в полупроводниковых пленках
Явления переноса в полупроводниковых пленках
99 000 UZS
Автор
Кулиев Бахшали Имамкули оглы
Количество страниц
Год
Спектры электронных локальных состояний в фотопроводнике поливинилкарбазоле, применяемом в электрофотографии
Спектры электронных локальных состояний в фотопроводнике поливинилкарбазоле, применяемом в электрофотографии
99 000 UZS
Автор
Газиев, Закир Абдумажидович
Количество страниц
Год
Температурная зависимость теплоемкости твердых растворов системы арсенид галлия - фосфид индия - арсенид индия в области 5 - 300 К.
Температурная зависимость теплоемкости твердых растворов системы арсенид галлия - фосфид индия - арсенид индия в области 5 - 300 К.
99 000 UZS
Автор
Новиков Владимир Васильевич
Количество страниц
Год
Дефектно-примесная структура монокристаллов теллурида цинка и создание излучающих диодов на их основе
Дефектно-примесная структура монокристаллов теллурида цинка и создание излучающих диодов на их основе
99 000 UZS
Автор
Иванов Валерий Александрович
Количество страниц
Год
Коллективные явления в суперионных проводниках
Коллективные явления в суперионных проводниках
99 000 UZS
Автор
Коваленко Александр Петрович
Количество страниц
Год
Электролюминесценция и проводимость слоев двуокиси кремния на кремнии в сильных электрических полях
Электролюминесценция и проводимость слоев двуокиси кремния на кремнии в сильных электрических полях
99 000 UZS
Автор
Кручинин Андрей Александрович
Количество страниц
Год
Исследование физических процессов в многослойных полупроводниковых структурах, выключаемых током управления
Исследование физических процессов в многослойных полупроводниковых структурах, выключаемых током управления
99 000 UZS
Автор
Азарян Р.Э.
Количество страниц
Год
Исследование электрических и оптических свойств ZnSe, ионно-легированного In+ и As+ и излучающих структур на его основе
Исследование электрических и оптических свойств ZnSe, ионно-легированного In+ и As+ и излучающих структур на его основе
99 000 UZS
Автор
Ластовка Владимир Викторович
Количество страниц
Год
Образование и свойства электрически активных кислородосодержащих дефектов в термообработанных и облученных кристаллах германия
Образование и свойства электрически активных кислородосодержащих дефектов в термообработанных и облученных кристаллах германия
99 000 UZS
Автор
Литвинов Валентин Вадимович
Количество страниц
Год
Оптическое поглощение на экситонах, связанных на изоэлектронных ловушках азота и висмута в фосфиде галлия
Оптическое поглощение на экситонах, связанных на изоэлектронных ловушках азота и висмута в фосфиде галлия
99 000 UZS
Автор
Пак Чун Вэ 0
Количество страниц
Год
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3