Физика полупроводников и диэлектриков

Физика полупроводников и диэлектриков - 67-1139-0
Туннельный транспорт носителей и связанные с ним физические явления в структурах золото – фторид кальция – кремний (111)
Туннельный транспорт носителей и связанные с ним физические явления в структурах золото – фторид кальция – кремний (111)
99 000 UZS
Автор
Илларионов Юрий Юрьевич
Количество страниц
Год
2015
Коммуникативные стратегии и тактики в медиажанре литературной рецензии (на материале «Литературной газеты»)
Коммуникативные стратегии и тактики в медиажанре литературной рецензии (на материале «Литературной газеты»)
99 000 UZS
Автор
Талипов Нияз Хатимович
Количество страниц
Год
2016
Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xТе радиационно-термическими воздействиями
Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xТе радиационно-термическими воздействиями
99 000 UZS
Автор
Талипов Нияз Хатимович
Количество страниц
Год
2016
Электронный спектр в модулированно-легированных гетероструктурах InGaAs/InAlAs на подложках GaAs и InP
Электронный спектр в модулированно-легированных гетероструктурах InGaAs/InAlAs на подложках GaAs и InP
99 000 UZS
Автор
Клочков Алексей Николаевич
Количество страниц
Год
2015
Применение модели антипересекающихся зон в случае высокого легирования кислородом CdS
Применение модели антипересекающихся зон в случае высокого легирования кислородом CdS
99 000 UZS
Автор
Канахин Алексей Алексеевич
Количество страниц
Год
2015
Когерентная и некогерентная динамика экситонов в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами
Когерентная и некогерентная динамика экситонов в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами
99 000 UZS
Автор
Трифонов Артур Валерьевич
Количество страниц
Год
2016
Исследование наноструктурных термоэлектрических материалов на основе твёрдых растворов кремний германия n- и p-типа
Исследование наноструктурных термоэлектрических материалов на основе твёрдых растворов кремний германия n- и p-типа
99 000 UZS
Автор
Усенко Андрей Александрович
Количество страниц
Год
2016
Электронные и фотоэлектрические явления в гетероструктурах типа aiii2 bvi3/aiii bv с барьером шоттки
Электронные и фотоэлектрические явления в гетероструктурах типа aiii2 bvi3/aiii bv с барьером шоттки
99 000 UZS
Автор
Котов Геннадий Иванович
Количество страниц
Год
2015
Влияние подложки на структуру металлических и полупроводниковых слоев в гетерокомпозициях на основе A3B5 по данным электронной микроскопии
Влияние подложки на структуру металлических и полупроводниковых слоев в гетерокомпозициях на основе A3B5 по данным электронной микроскопии
99 000 UZS
Автор
Ловыгин Михаил Вячеславович
Количество страниц
Год
2015
Перспективные композиционные материалы на основе углеродных наноструктур для суперконденсаторов
Перспективные композиционные материалы на основе углеродных наноструктур для суперконденсаторов
99 000 UZS
Автор
Шульга Наталья Юрьевна
Количество страниц
Год
2016
Динамика спиновой когерентности в полупроводниковых наноструктурах
Динамика спиновой когерентности в полупроводниковых наноструктурах
99 000 UZS
Автор
Югова Ирина Анатольевна
Количество страниц
Год
2016
Структуры металлический кластер - квантовая точка, выращенные нанокапельной молекулярно-лучевой эпитаксией
Структуры металлический кластер - квантовая точка, выращенные нанокапельной молекулярно-лучевой эпитаксией
99 000 UZS
Автор
Лямкина Анна Алексеевна
Количество страниц
Год
2015
Высокочастотный транспорт в квантово-размерных системах на основе германия и кремния. Бесконтактные методы исследования
Высокочастотный транспорт в квантово-размерных системах на основе германия и кремния. Бесконтактные методы исследования
99 000 UZS
Автор
Малыш Виталий Александрович
Количество страниц
Год
2015
Многопереходные гетероструктурные фотопреобразователи на основе материалов A3B5 и германия, полученные методом мос-гидридной эпитаксии
Многопереходные гетероструктурные фотопреобразователи на основе материалов A3B5 и германия, полученные методом мос-гидридной эпитаксии
99 000 UZS
Автор
Минтаиров Сергей Александрович
Количество страниц
Год
2015
Особенности магнетосопротивления и терагерцовой фотопроводимости в графене
Особенности магнетосопротивления и терагерцовой фотопроводимости в графене
99 000 UZS
Автор
Васильева Галина Юрьевна
Количество страниц
Год
2015
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3