Физико-математические науки

Физико-математические науки - 67-0-0
Полупроводниковые микролазеры на основе резонаторов с модами шепчущей галереи
Полупроводниковые микролазеры на основе резонаторов с модами шепчущей галереи
99 000 UZS
Автор
Крыжановская Наталья Владимировна
Количество страниц
Год
2018
Квантовый транспорт в микросужениях и подвешенных квантовых точечных контактах на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs
Квантовый транспорт в микросужениях и подвешенных квантовых точечных контактах на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs
99 000 UZS
Автор
Похабов Дмитрий Александрович
Количество страниц
Год
2018
Влияние неравновесных носителей заряда на оптические свойства наноструктур с туннельно-связанными квантовыми ямами и квантовыми точками
Влияние неравновесных носителей заряда на оптические свойства наноструктур с туннельно-связанными квантовыми ямами и квантовыми точками
99 000 UZS
Автор
Балагула Роман Михайлович
Количество страниц
Год
2017
Структурная и химическая модификация аморфных алмазоподобных кремний-углеродных пленок
Структурная и химическая модификация аморфных алмазоподобных кремний-углеродных пленок
99 000 UZS
Автор
Баринов Алексей Дмитриевич
Количество страниц
Год
2017
Разработка и исследование магнитооптических и трехосевых холловских датчиков
Разработка и исследование магнитооптических и трехосевых холловских датчиков
99 000 UZS
Автор
Чесницкий Антон Васильевич
Количество страниц
Год
2019
Локальная диагностика электрофизических свойств полупроводниковых микро- и наноструктур
Локальная диагностика электрофизических свойств полупроводниковых микро- и наноструктур
99 000 UZS
Автор
Литвинов Владимир Георгиевич
Количество страниц
Год
2019
Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AlN
Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AlN
99 000 UZS
Автор
Александров Иван Анатольевич
Количество страниц
Год
Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN
Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN
99 000 UZS
Автор
Копьев Виктор Васильевич
Количество страниц
Год
2019
Термоэлектрические свойства и дефекты структуры кристаллов узкозонных полупроводников Pb1-хGdхTe, Pb1-xGdxS, Pb1-xCrxS1-у, Pb1-xAgxS и Pb1-xCuxS
Термоэлектрические свойства и дефекты структуры кристаллов узкозонных полупроводников Pb1-хGdхTe, Pb1-xGdxS, Pb1-xCrxS1-у, Pb1-xAgxS и Pb1-xCuxS
99 000 UZS
Автор
Синицин Алексей Михайлович
Количество страниц
Год
2019
Разработка методов анализа влияния декогерентизации на качество квантовых преобразований, алгоритмов и измерений
Разработка методов анализа влияния декогерентизации на качество квантовых преобразований, алгоритмов и измерений
99 000 UZS
Автор
Бантыш Борис Игоревич
Количество страниц
Год
2018
Взаимодействие водорода с дислокационными сетками сращенных пластин кремния
Взаимодействие водорода с дислокационными сетками сращенных пластин кремния
99 000 UZS
Автор
Лошаченко Антон Сергеевич
Количество страниц
Год
2018
Моделирование формирования микро- и наноструктур при распылении материала фокусированным ионным пучком
Моделирование формирования микро- и наноструктур при распылении материала фокусированным ионным пучком
99 000 UZS
Автор
Румянцев Александр Владимирович
Количество страниц
Год
2018
Определение профиля концентрации основных носителей заряда в светоизлучающих и HEMT структурах с резко неоднородным легированием
Определение профиля концентрации основных носителей заряда в светоизлучающих и HEMT структурах с резко неоднородным легированием
99 000 UZS
Автор
Яковлев Георгий Евгеньевич
Количество страниц
Год
2018
Влияние условий формирования на особенности атомного строения и оптических свойств широкозонных полупроводниковых микро- и наноструктур МоО3 и MoS2
Влияние условий формирования на особенности атомного строения и оптических свойств широкозонных полупроводниковых микро- и наноструктур МоО3 и MoS2
99 000 UZS
Автор
Аль Хайлани Хассан Исмаил Дамбос
Количество страниц
Год
2019
Метод и экспериментальная установка для прецизионного измерения характеристик широкоапертурных пучков непрерывного лазерного излучения
Метод и экспериментальная установка для прецизионного измерения характеристик широкоапертурных пучков непрерывного лазерного излучения
99 000 UZS
Автор
Мацак Иван Сергеевич
Количество страниц
Год
2020
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3