Введение
Глава 1 Взаимодействие излучения инфракрасного диапазона с наноструктурами с квантовыми точками GeSi/Si 19
1.1 Введение (обзор литературы) 19
1.2 Описание экспериментальных образцов 28
1.3 Методика экспериментальных исследований 30
1.4 Результаты и обсуждение 34
1.4.1 Внутризонное поглощение 34
1.4.2 Фотоиндуцированное поглощение 43
1.4.3 Латеральная фотопроводимость 52
1.4.4 Фотоиндуцированная фотопроводимость 57
1.4.5 Динамика фотоиндуцированного поглощения 60
1.5 Основные результаты первой главы 75
Глава 2 Взаимодействие излучения инфракрасного диапазона с наноструктурами с двойными туннельно-связанными квантовыми ямами в сильных электрических полях 76
2.1 Введение (обзор литературы) 76
2.2 Описание экспериментальных образцов 82
2.3 Методика экспериментальных исследований 92
2.4 Результаты и обсуждение. 97
2.4.1 Туннельно-связанные квантовые ямы в продольном электрическом поле 97
2.4.1.1 Фотолюминесценция 97
2.4.1.2 Равновесное поглощение света 100
2.4.1.3 Модуляция поглощения продольным электрическим полем 105
2.4.1.4 Показатель преломления 110
2.4.1.5 Двулучепреломление 112
2.4.2 Туннельно-связанные квантовые ямы в поперечном электрическом поле 120
2.4.2.1 Фотолюминесценция 120
2.4.2.2 Равновесное поглощение света 121
2.4.2.3 Модуляция поглощения поперечным электрическим полем 125
2.4.2.4 Показатель преломления 127
2.5 Основные результаты второй главы 130
Заключение 131
Список публикаций автора
