Введение
Глава 1. Электрически активные примеси в полупроводниках {Обзор литературы) „15
1.1. Энергетические спектры примесей в кремнии и германии Л6
1.2. Интенсивности переходов в спектрах фотовозбуждения примесей 22
1.3. Абсорбционная ИК спектроскопия электрически активных примесей 25
1.4. Фототермическая ионизация примесей 28
1.5. Экспериментальная техника ФТИС и АС ...37
1.6. Измерение концентрации электрически активных примесей. ,..44
1.7. Электрически активные примеси в высокочистых кремнии и германии 53
Глава 2 Бесконтактный вариант спектроскопии фотопроводимости полупроводников 63
2.1. Принцип действия и устройство бесконтактного преобразователя -64
2.2. Формирование сигналов фотопроводимости в бесконтактном преобразователе 68
2.3. Раздельная регистрация SR- и <5С-спектров 7 1
- 2.4. Чувствительность бесконтактного способа регистрации спектров
фотопроводимости полупроводников 76
Глава 3. Спектрометры инфракрасного и субмиллиметрового диапазонов длин волн для исследования электрически активных примесей в кремнии и германии 81
3.1. Дифракционный спектрометр для ФТИС 81
3.2. Фурье-спектрометр высокого разрешения для бесконтактной фототермоионизационной и абсорбционной спектроскопии полупроводников 87
3.3. Спектрометр и релаксометр субмиллиметрового диапазона с лампами обратной волны ..94
Глава 4. Спектроскопические параметры электрически активных примесных центров в кремнии и германии 99
4.1. Энергетические спектры примесей в германии ...103
4.2. Энергетические спектры элементарных доноров и акцепторов в кремнии 112
4.3. Силы осцилляторов оптических переходов в спектрах фотовозбуждения мелких примесных центров в Si и Ge 121
4.4. Спектроскопические параметры двойных термодоноров в кремнии 129
Глава 5. Концентрационные зависимости спектров фотовозбуждения электрически активных примесей в кремнии и германии 137
5.1. Форма линий в спектрах оптического поглощения и фототермической ионизации примесей , 137
5.2. Зависимость ширины линий в спектрах ФТИ от концентрации примесей.. 143
5.3. Определение концентрации примесных комплексов .154
5.4. Зависимость времени релаксации фотопроводимости от концентрации компенсирующих примесей в высокочистом германии 159
5.5. Влияние селективного поглощения на спектры фотопроводимости в области фотоионизации примесей 165
Глава 6. Примесный состав высокочистых и легированных кристаллов кремния и германия 177
6.1. Элементарные примеси и примесные комплексы в высокочистом гидридном германии 177
6.2 Источники поступления примесей в высокочистый германий 186
63. Электрически активные примесные центры в
высокочистом и моноизотопном кремнии 194
6.4. Примесная фотопроводимость в легированном слабо компенсированном p-SL202
6.5. Энергетический спектр кислородсодержащих термодоноров в кремнии 210
6.6. Особенности формирования термодоноров в кристаллах кремния,
выращенных по Чохральскому, при отжиге под давлением , 228
6.7. Кремний с минимальными диэлектрическими потерями ..235
Глава 7. Излучающие и электрически активные примесные центры в кремниевых структурах, легированных редкоземельными элементами и кислородом 245
7.1. Излучающие центры в Si и SiGe, содержащие ионы Er + 248
7.2. Спектроскопические параметры и микроструктура центра Ег-1 258
7.3. Электрически активные центры в кремнии, легированном редкоземельными элементами 264
7.4. Эффективность и температурное гашение люминесценции иона Er + в эпитаксиальных кремниевых структурах 275
7.5. Излучающие центры, содержащие ион Но3+ в кремнии 283
7.6. О возможности лазерной генерации в кремниевых структурах, легированных редкоземельными элементами : 289
Приложение 1. 395
Приложение 2. .297
Заключение 300
Литература.
