Введение
Глава 1. Исследование и оптимальный набор численных моделей рассеяния пучка электронов в твёрдой мишени применительно к высокоэнерге тической электронной литографии 13
1.1 Моделирование движения электрона в мишени 13
1.1.1 Особенности моделирования траектории движения электрона в твёрдом теле методом Монте-Карло 13
1.1.2 Модели упругого взаимодействия электрона с атомом 21
1.1.2.1 Формула Резерфорда, учитывающая экранировку заряда ядра.
Экранирующий параметр и функциональный вид дифференциального сечения упругого рассеяния 21
1.1.2.2 Дифференциальное сечение Мотта 24
1.1.3 Модели неупругого рассеяния электрона. Энергетические потери28
1.1.3.1 Непрерывные потери энергии ~ 28
1.1.3.2 Дискретные потери энергии 37
1.1.3.3 Виды энергетических потерь, неучтённые при моделировании переноса электронов в твердом теле 45
1.2 Сравнение моделей упругого и неупругого рассеяния. Оптимальный
набор моделей. Сравнение результатов численного счёта с экспериментальными данными 47
1.2.1 Сравнение моделей упругого рассеяния 50
1.2.2 Сравнение моделей неупругого рассеяния 55
1.2.3 Сравнение результатов численного счёта по оптимальному и
классическому наборам моделей с экспериментальными данными 60
Выводы 69
Глава 2. Модель генерации и поглощения тормозного рентгеновского излучения 71
2.1 Модели генерации и поглощения тормозного излучения 71
2.2 Смешанная модель генерации и поглощения тормозного излучения .. 77
2.2.1 Генерация излучения 77
2.2.2 Поглощение излучения 86
2.2.3 Сравнение результатов расчёта с экспериментальными данными и с результатами расчётов других авторов 89
Выводы 94
Глава 3. Исследование влияния тормозного излучения на работу МОП-транзисторов и оценка вклада тормозного излучения в поглощённую энергию в резисте 95
3.1 Оценка влияния тормозного излучения на работу МОП-транзисторов...
3.2 Оценка вклада тормозного излучения в поглощённую энергию в резисте 103
Выводы 109
Глава 4. Расчёт и минимизация эффекта нежелательной засветки резивта присоздании масок для рентгеновской и проекционной электронной литографий
4.1 Расчёт поглощённой энергии в резисте при создании масок для проекционной электронной и рентгеновской литографий 115
4.2 Минимизация эффекта близости путём перфорации подложки 120
Выводы 127
Глава 5. Роль вторичных электронов в моделировании проявленных профилей резистов 128
5.1 Модель растворения электронных резистов 128
5.2 Процедура определения модельных параметров резиста. Сравнение результатов численного счёта с экспериментальными данными 131
Выводы 136
Заключение 137
Литература 139
Благодарности 150
Список используемых сокращений 151
