Введение
ГЛАВА 1. Фотоприемники с гетеропереходом органический-неорганический полупроводник: новая концепция оптоэлектронного устройства ...16
1.1. Основные свойства молекулярных органических кристаллов 16
1.1.1. Методы очистки металлфталоцианинов 20
1.1.2. Оптические свойства металлфталоцианинов 21
1.1.3. Кристаллографическая структура металлфталоцианинов 22
1.1.4. Полупроводниковые свойства и энергетические диаграммы некоторых органических полупроводников 23
1.1.5. Легирование металлфталоцианинов кислородом 24
1.2. Полупроводниковые, оптические и фотоэлектрические свойства монокристаллического арсенида галлия 26
1.3. Солнечные элементы с барьером Шотки с р-п-переходом и с гетеропереходом органический-органический полупроводниковый 29
1.4. Гетероструктуры органический-неорганический полупроводник 33
1.4.1. Энергетические диаграммы гетеропереходов на основе органического и неорганического полупроводников 33
1.4.2. Применение гетероструктур ОП/НП для оптоэлектронных устройств 39
ГЛАВА 2. Методика эксперимента 43
2.1. Электронная спектроскопия 43
2.2. Экспериментальная установка 43
2.3. Способ очистки фталоцианина меди 45
2.4. Методика изготовления СЭ с р-п-переходом 48
2.5. Методика изготовления СЭ с гетеропереходом органический-органический полупроводник 49
2.6. Изготовление СЭ с гетеропереходом органический-неорганический полупроводник 51
2.7. Испаритель для напыления тонких пленок большой площади на основе органических полупроводников 54
ГЛАВА 3. Результаты эксперимента, исследование сэ с р-п-переходом и с гетеропереходом 56
3.1. Солнечные элементы с р-п-переходом 56
3.2. Солнечные элементы с гетеропереходом органический-органический полупроводник 59
3.3. Исследование токов, ограниченных объемным зарядом (ТООЗ) 67
3.4. Солнечные элементы на основе СПпТФП 71
ГЛАВА 4. Анализ экспериментальных данных по исследованию фотоэлектрических процессов в гп органический-неорганический полупроводник 78
4.1. Полупроводниковые и оптические свойства СиРс, CllnPc, CUnTOnuGaAs 78
4.2. Расчет интенсивности поглощенного в барьере слоя СиРс и в барьере n-GaAs 81
4.3. Расчет плотности тока, генерированного в слое СиРс 90
4.4. Расчет плотности тока короткого замыкания в барьере СиРс при Л=600 нм 93
4.5. Исследование инфракрасных фотоприемников на основе n-GaAs/p-ClInPc и других металлфталоцианинов 94
4.6. Зонная диаграмма ГП n-GaAs/p-CuPc 99
ГЛАВА 5. Применение фотоприемников с гетеропереходом n-GaAs/p-CuPc 102
5.1. Использование ультрафиолетового облучения в сельскохозяйственном производстве 102
5.2 Современные способы контроля и конструкции дозиметров ультрафиолетового излучения 108
5.3. Исследование влияния различных факторов на характеристики фотоприемника 113
5.4. Измеритель интенсивности излучения на основе измерения тока короткого замыкания 117
5.5. Система автоматического регулирования дозы ультрафиолетового облучения 119
ГЛАВА 6. Физические основы применения органических полупроводников металлфталоцианинов в измерителях концентрации токсичности газов 129
6.1. Анализ исследований датчиков токсичных газов 129
6.2. Способ изготовления датчиков 138
6.3. Методика определения сопротивления и чувствительности датчика 139
6.4. Исследование характеристик датчиков NH3 142
6.5. Физические основы действия датчика газа NH3 144
6.6. Характеристики датчика ИНз 147
6.7. Исследование деградации датчика аммиака 150
6.8. Аналоговые измерители концентрации аммиака 152
6.9. Измеритель концентрации аммиака с цифровой индикацией сопротивления и температуры датчика 158
6.10. Производственные испытания средств контроля концентрации аммиака 164
Заключение 168
Литература 170
Приложения 188
