Введение
Глава 1. Особенности явлений электронного переноса в полупроводниковых монокристаллах и пленках с анизотропией проводимости ... 13
1.1. Явления электронного переноса в анизотропных токопроводя- щих средах и методы их исследования (обзор литературных данных)... 13
1.2. Теоретический расчет распределения потенциала в ограничен ных анизотропных полупроводниках 16
1.2.1. Распределение потенциала в анизотропных полупроводниках, вырезанных вдоль кристаллографических осей 17
1.2.2. Распределение потенциала в анизотропных полупроводниках, вырезанных под углом к кристаллографическим осям 21
1.3. Компьютерное моделирование распределений электрического поля и линий тока в анизотропных полупроводниках 25
1.3.1. Токовые контакты расположены на оси симметрии кристалла.. 26
1.3.2. Токовые контакты расположены на одной грани образца 29
1.3.3. Моделирование электрического поля в анизотропных полупроводниках при асимметрии граничных условий 31
1.4. Анализ распределения электрического поля в анизотропных по лупроводниках 35
1.4.1. Вихревые токи анизотропии 35
1.4.2. Концентрация линий вектора плотности тока 37
1.4.3. Поперечное напряжение анизотропии 38
1.4. Экспериментальная проверка теоретических расчетов 41
Выводы и результаты первой главы 44
Глава 2. Макроскопическая модель эффектов Холла и магнетосо- противления в анизотропных полупроводниках 45
2.1. Гальваномагнитные явления в полупроводниках и методы их исследования (обзор литературных данных) 45
2.2. Макроскопическая теория эффектов Холла и Гаусса в анизотропных полупроводниках 49
2.2.1. Теоретический расчет распределения потенциала в ограниченных анизотропных полупроводниках при наличии внешнего магнитного поля 50
2.2.2. Эффекты Холла и Гаусса в анизотропных кристаллах и пленках, вырезанных под углом к кристаллографическим осям 56
2.3. Компьютерное моделирование электрического поля в ограни ченных анизотропных полупроводниках при наличии внешнего магнитного поля 59
2.4. Разработка методов исследования эффектов Холла и магнетосо противления в анизотропных полупроводниках 63
2.4.1. Определение компоненты тензора коэффициента Холла в анизотропных полупроводниках, вырезанных вдоль кристаллографических осей 64
2.4.2. Особенности исследования эффекта Холла в анизотропных полупроводниках, вырезанных под углом к кристаллографическим осям 67
2.4.3. Методика исследования величины магнетосопротивления в ограниченных анизотропных полупроводниках 71
2.4.4. Измерение магнетосопротивления при расположении контактов на периметре образцов 72
2.5. Экспериментальная проверка. Практические рекомендации 75
2.5.1. Исследования эффектов Холла и Гаусса в изотропных полупроводниках 75
2.5.2. Экспериментальные данные по исследованию эффекта Холла и Гаусса в анизотропных полупроводниках 76
Выводы и результаты второй главы 81
Глава 3. Разработка методов измерения кинетических коэффициен тов анизотропных полупроводников 82
3.1. Зондовые методы исследования полупроводниковых материалов (обзор литературных данных) 82
3.2. Расчет распределения потенциала электрического поля в анизо тропных полупроводниковых кристаллах пленках 84
3.3. Методика измерения компонент тензора электропроводимости анизотропных полупроводниковых кристаллов и пленок 89
3.3.1. Теоретическое обоснование методики 89
3.3.2. Оценка учета влияния границ анизотропного образца 93
3.3.3. Экспериментальная проверка методики 94
3.4. Методика совместных измерений электропроводимости и коэф фициента Холла анизотропных полупроводниковых кристаллов и пленок 97
3.4.1. Методика определения главных компонент тензора электропроводимости анизотропных полупроводников 97
3.4.2. Измерение компоненты тензора коэффициента Холла 102
3.4.3. Практические рекомендации и экспериментальная проверка методики 104
3.5. Теоретическая разработка методики определения электропроводимости слоистых полупроводниковых материалов 106
3.5.1. Теоретическое обоснование методики 106
3.5.2. Описание методики измерения электропроводимости 109
Выводы и результаты третьей главы 111
Глава 4. Исследование резистивных и контактных явлений в полупроводниках 112
4.1. Значение свойств контактов металл-полупроводник в полупроводниковой электронике (обзор литературных данных) 112
4.2. Измерение сопротивления контактов металл-полупроводник и контроль удельного сопротивления полупроводниковых пленок 114
4.2.1. Теоретическое обоснование методики определения сопротивления контактов к бесконечной полупроводниковой пленке 114
4.2.2. Определение сопротивления контактов к полубесконечной полупроводниковой пленке 120
4.2.3. Определение сопротивления контактов к образцу в виде ленты 121
4.2.4. Оценка учета влияния размера токовых контактов и наличия границ. Практические рекомендации 123
4.2.5. Экспериментальная проверка и апробация методики 124
4.3. Сопротивление растекания в ограниченных анизотропных полупроводниках 127
4.3.1. Сопротивление растекания анизотропного полупроводника, вырезанного вдоль кристаллографических осей...,, 127
4.3.2. Зависимость сопротивления анизотропного образца от ориентации кристаллографических осей 131
4.3.3. Экспериментальная проверка теоретических расчетов сопротивлений анизотропных полупроводников 136
4.4. Моделирование явлений электронного переноса в неоднородных полупроводниках 136
4.4.1. Расчет распределения потенциала в двухслойной структуре 136
4.4.2. Компьютерное моделирование распределения электрического поля в неоднородных полупроводниковых структурах 140
4.4.3. К вопросу об эквипотенциальное омических контактов к полупроводниковым структурам 141
4.4.4. Вихревые токи в неоднородных полупроводниках 142
Выводы ирезультаты четвертой главы 144
Заключение 145
Литература 148
