Введение
1. Литературный обзор 11
1.1. Эффект переключения сопротивления. Обзор ранних работ 11
1.2. Эффект переключения сопротивления. Современное состояние 14
1.3. Основные принципы и механизмы эффекта переключения сопротивления и памяти в МОМ-структурах 19
1.4. Модели переключения сопротивления, основанные на формировании и разрыве нитей проводимости 22
1.5. Модели переключения, не связанные с формированием и разрывом проводящих каналов 30
2. Технология и характеризация свойств МОМ-структур 37
2.1. Объекты исследования 37
2.2. Технология МОМ-структур
2.2.1. Технология электродов 46
2.2.2. Технология оксидных слоев 48
2.3. Характеризация структур Pt/PbOx/Pt 54
2.4. Характеризация гетерогенных структур на основе оксидов титана и алюминия 61
Краткие выводы к главе 2 70
3. Эффекты переключения и памяти в тонкопленочных структурах Pt/PbO/Pt 71
3.1. Биполярное переключение в структурах Pt/PbO/Pt 71
3.2. Механизм электронного транспорта. Гистерезис 75
3.3 Область отрицательного дифференциального сопротивления и эффект шнурования 87 3.4. Механизмы переключения и памяти 92
Краткие выводы к главе 3 99
4. Эффекты переключения и памяти в гетерогенных структурах на основе оксидов титана и алюминия
4.1. Эффекты переключения и памяти в структурах Pt/Al2O3/TiO2/Me 101
4.1.1. Влияние толщины слоя оксида алюминия 105
4.1.2. Влияние материала верхних электродов, измерения в вакууме 106
4.2. Эффект многоуровневого переключения и памяти в структурах Pt/TiO2/Al2O3/Pt 109
4.3. Температурные исследования гетерогенных структур 116
Краткие выводы к главе 4 119
Заключение 121
Список литературы
