Введение
1 Свободные и связанные экситоны в кристаллах дифосфидов и диарсенидов цинка и кадмия 16
1.1 Экситоны в ZnAs2 16
1.2 Экситоны в /3 — ZnP2 33
1.3 Влияние электрического поля на экситоны в ZnP i(G\h) 46
1.4 Обратная серия линий поглощения 60
1.5 Спектры излучения свободных и связанных экситонов BC IP2(DI). 64
1.6 Спектры излучения свободных и связанных экситонов в ZnP2(Df). 67
2 Бирефракция и структура энергетических зон кристаллов А2В5 . 77
2.1 Гиротропия тетрагональных дифосфидов цинка и кадмия 77
2.2 Двулучепреломление и структура энергетических зон в области края поглощения кристаллов Cdp2 и Znp2(Df) 89
2.3 Двулучепреломление и структура зон в области края поглощения в кристаллах ZnPziC) ) и ZnAs2{C\h) 98
2.4 Оптические свойства кристаллов Zn%P2 в глубине полосы поглощения. 110
2.5 Электронные переходы в глубине полосы поглощения 1-і-11 эВ кристаллов CdP2 115
2.6 Электронные переходы в глубине полосы поглощения кристаллов ZnP2(Dl) 124
2.7 Электронные переходы в глубине полосы поглощения и структура энергетических зон кристаллов ZnP iC ) 132
2.8 Электронные переходы в глубине полосы поглощения кристаллов ZnAs2 137
2.9 Особенности валентных зон полупроводниковых соединений А В5. 141
3 Фотоэлектронная эмиссия и фотоэлектронные явления в структурах металл — ZnAs21ZnP2{Clh)1ZnP2{D\)1CdP2 157
3.1 Физико-химические свойства поверхности А В5 157
3.2 Влияние ионной бомбардировки на свойства поверхности А В5. 166
3.3 Влияние ионной бомбардировки на свойства поверхности А2В5. 169
3.4 Л — Модулированная фотоэмиссия с поверхности соединений А2В5. 180
3.5 Спектральные характеристики фототока барьеров металл —CdP2-Влияние электрического поля 194
3.6 Фотоэлектрические свойства барьеров Шоттки на дифосфиде цинка тетрагональной модификации 204
3.7 Фотоэлектрические свойства барьеров Шоттки на дифосфиде цинка моноклинной модификации 209
3.8 Фотоэлектрические токи в активных структурах на диарсениде цинка.211
4 Контактные явления. Перенос заряда 218
4.1 Общие характеристики контактов металлов с дифосфидами цинка и кадмия электронной проводимости 218
4.2 Перенос заряда в контактах Шоттки металл - А2В5 п — типа про водимости. Вольт — амперные характеристики контактов 223
4.2.1 Вольт — амперные характеристики (ВАХ) барьеров Шоттки металл — CdP2 223
4.2.2 Электрические характеристики барьеров Шоттки металл — a-ZnP2 227
4.2.3 Вольт — амперные характеристики (ВАХ) барьеров Шоттки металл — /3 - Z71P2 229
4.3 Характеристики комплексной проводимости барьеров металл —А2В5.231
4.3.1 Характеристики комплексной проводимости барьеров Шоттки металл — CdP2 231
4.3.2 Влияние компенсации глубоких доноров в слое объемного заряда контакта металл — CdP2, — ZnP2 на характеристики полной проводимости 238
4.3.3 Характеристики комплексной проводимости барьеров Шоттки металл — а - ZnP2 240
4.3.4 Характеристики комплексной проводимости структур металл -(3-ZnP2 2
4.4 Долговременная релаксация проводимости в барьерах на моноклинном дифосфиде цинка. Эволюция электрического поля барьера. 245
4.5 Характеристики контактов на кристаллах ZnAs2 и ZnP2 — типа проводимости. Влияние ТОПЗ на перенос заряда в тонких слоях ZnP2 251
5 Гетеропереходы на полиморфных модификациях ZnP2. При менение дифосфидов и диарсенидов цинка и кадмия 258
5.1 Кристаллохимические основы образования гетеропереходов на полиморфных модификациях кристаллов 258
5.2 Электрические характеристики гетеропереходов а - /3 - ZnP2.
5.2.1 Вольт — амперные характеристики гетероперехода а(п) -Р(р) - ZnP2 263
5.2.2 Вольт — фарадные характеристики и комплексная проводимость гетероперехода 265
5.3 Фотоэлектрические свойства гетеропереходов 267
5.3.1 Спектральные характеристики фототокар((3) - п(а) - ZnP2. 267
5.3.2 Поляризационные характеристики фототока 269
5.3.3 Частотные характеристики фототока 2 5.4 Энергетическая диаграмма и спектральные характеристики фототока гетероперехода п\{[5) - п2(а) — ZnP2 271
5.5 Применение полупроводников А2 - 5 дырочной проводимости в качестве терморезисторов и термисторов 276
5.6 Фотоэлектронные эмиттеры 281
5.7 Применение моноклинных диарсенида и дифосфида цинка для анализа линейно — поляризованного света 285
5.8 Селекторы мод на интерференции света в тонких слоях диарсенида цинка 289
5.9 Оптические фильтры на кристаллах дифосфидов и диарсенидов цинка и кадмия 294
5.10Датчики температуры и модуляторы света на тетрагональных кристаллах дифосфидов и диарсенидов цинка и кадмия 297
5.10. Датчики температуры на тетрагональных кристаллах дифосфидов и диарсенидов цинка и кадмия 297
5.10.2Модуляторы света и преобразователи частоты сигналов на тет рагональных кристаллах дифосфидов и диарсенидов цинка и кадмия 3
