Введение
Глава I. Обзор литературы 12
1.1. Антимонид галлия – физико-химические свойства 12
1.2. Эпитаксиальные методы получения антимонидных соединений AIIIBV 14
1.3. Легирование антимонида галлия 20
1.4. Твердые растворы изопереодичные антимониду галлия. 22
1.5. Приборы на основе антимонида галлия и твердых растворов на его основе 25
1.6. Задачи диссертационной работы 27
Глава II. Разработка технологии изготовления антимонида галлия методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений .. 28
2.1. Экспериментальная установка 28
2.2. Используемые подложки и их обработка 29
2.3. Используемые источники элементов V и III групп . 31
2.4. Обоснование выбора режима роста 37
2.5. Изготовление и исследование GaSb 38
2.5.1. Разработка технологии изготовления нелегированного GaSb 38
2.5.2. Разработка технологии изготовления высокоомных слоев 44 GaSb
2.5.3. Легирование GaSb 54
Глава III. Разработка технологии изготовления твердых растворов изопериодных антимониду галлия 69
3.1. Выращивание и исследование свойств эпитаксиальных слоев AlGaAsSb 70
3.1.1. Выращивание и исследование нелегированных слоев AlGaAsSb 70
3.1.2. Легирование твердых растворов AlGaAsSb 76
3.2. Выращивание и исследование свойств эпитаксиальных слоев GaInAsSb 82
3.2.1. Выращивание и исследование нелегированных слоев GaInAsSb. 82
3.2.2. Легирование твердых растворов GaInAsSb 90
3.3. Получение и исследование варизонных слоев 95
Глава IV. Приборы на основе антимонида галлия и твердых растворов ... 100
4.1. Прибора на основе гомопереходов 100
4.1.1. Приборы на основе GaSb 100
4.1.2 .Приборы на основе GaInAsSb 109
4.2. Приборы на основе гетеропереходов 110
4.2.1. Создание нового соединительного p-n перехода /.. 110
4.2.2. Изготовление демонстрационных двухпереходных ФЭП 118
4.3. Разработка технологии изготовления квантоворазмерных слоев 120
4.3.1 Структуры с глубокой квантовой ямой 120
4.3.2. Получение и исследование наногетероструктур типа InAs/GaSb методом ГФЭМОС 124
Заключение
Список сокращений
Литература
