Введение
Глава 1. Анализ современного состояния исследований полупроводниковых СВЧ-приборов с использованием ближнеполевой СВЧ-микроскопии 13
Глава 2. Ближнеполевая СВЧ-микроскопия анизотропных свойств диэлектрических материалов 41
Глава 3. Ближнеполевой сверхвысокочастотный микроскоп на основе низкоразмерного резонатора 56
3.1. Резонансное устройство для ближнеполевого СВЧ-контроля параметров материалов 57
3.2. Низкоразмерный резонатор, перестраиваемый магнитным полем 61
Глава 4. Распределение ближнего поля в резонаторе для ближнеполевого СВЧ-микроскопа типа «металлический штырь с зазором - короткозамыкающий поршень с выемкой» 65
Глава 5. Применение ближнеполевого сканирующего СВЧ-микроскопа для исследования распределения концентрации носителей заряда и электрического поля в арсенид-галлиевом диоде Ганна 74
Глава 6. Нелинейная динамика формирования пространственно-неоднородной структуры в p-i-n диоде 82
Заключение 93
Список литературы
