Эффективность белого свечения гетероструктур на основе твердого раствора InGaN с люминофором

Хайрулина Анна Салиховна. Эффективность белого свечения гетероструктур на основе твердого раствора InGaN с люминофором : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Хайрулина Анна Салиховна; [Место защиты: Ульян. гос. ун-т].- Ульяновск, 2008.- 160 с.: ил. РГБ ОД, 61 09-1/148
Автор
Хайрулина Анна Салиховна
Год
2008
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
Глава 1. Проблемы создания гетероструктур на основе GaN 8
1.1 Преимущества белых СД 8
1.2 Вопросы, связанные с повышением яркости в СД с люминофорами 15
1.3 Анализ спектров фотолюминесценции, электролюминесценции, электроотражения гетероструктур на основе GaN 18
1.4 Дефекты в пленках нитридов III группы 25
1.5 Оптические свойства легированных слоев GaN 31
1.6 Глубокие уровни и электронный транспорт в гетероструктурах на основе GaN 35
1.7 Внутренние и внешние поля в структурах с квантовыми ямами 39
1.8 Выводы по главе: 44
Глава 2. Оптические характеристики 46
2.1 Спектральные характеристики коэффициента пропускания 46
2.2 Экспериментальная установка для измерения спектральных характеристик 50
2.3 Коэффициент полезного действия и спектры электролюминесценции светодиодов на основе р-п-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN белого свечения 58
2.4 Выводы по главе 72
Глава 3. Вольт - амперные характеристики структуры на основе InGaN/AlGaN/GaN 74
3.1 Описание экспериментальной установки для измерения вольт — амперных характеристик
3.2 Вольт — амперные характеристики структуры на основе InGaN/AlGaN/GaN. Механизмы токопереноса 75
3.3 Выводы по главе 84
Глава 4. Вольт - фарадные характеристики структуры на основе InGaN/AlGaN/GaN 85
4.1 Описание экспериментальной установки для измерения вольт — фарадных характеристик 85
4.2 Вольт — фарадные характеристики структуры на основе InGaN/AlGaN/GaN (образец №2) 88
4.3 Поглощение света в структуре на основе InGaN/AlGaN/GaN (образец №2) 104
4.4 Вольт - фарадные характеристики структуры на основе InGaN/AlGaN/GaN (образец№>1)
4.5 Выводы по главе 113
Глава 5. Определение параметров рекомбинационных центров 114
5.1 Определение параметров рекомбинационных уровней по приведенной скорости 1
5.2 Определение параметров рекомбинационных уровней по зависимости dpidu
5.3 Теоретическое определение температурных зависимостей энергии активации 196
5.4 Выводы по главе 131
Заключение 132
Научная новизна полученных результатов 134
Практическая значимость полученных результатов 135
Положения, выносимые на защиту 136
Список литературы 137
Публикации 158

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Туэрди Умайэр
Количество страниц
Год
2008
99 000 UZS
Автор
Чучева Галина Викторовна
Количество страниц
Год
2009
99 000 UZS
Автор
Смирнова Ирина Павловна
Количество страниц
Год
2007
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3