Введение
Глава 1. Электрофизические свойства тонкопленочных структур на основе неупорядоченных полупроводников 12
1.1 Структура спектра энергетических состояний в неупорядоченных полупроводниках 12
1.2 Механизмы переноса носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках 21
1.3 Влияние локализованных состояний аморфного гидрогенизированного кремния на электрические свойства МДП-структуры 34
1.4 Анализ моделей для расчета тонкопленочных транзисторных структур на основе неупорядоченных полупроводников 41
Выводы по главе 1 46
Глава 2. Влияние локализованных состояний на формирование области пространственного заряда неупорядоченного полупроводника в МДП-структуре 48
2.1 Модель МДП-структуры, исходные и граничные условия расчета 48
2.2 Решение одномерного уравнения Пуассона с учетом распределения плотности локализованных состояний в щели подвижности неупорядоченного полупроводника 54
2.2.1 Плотность объемного заряда в области пространственного заряда МДП-структуры 54
2.2.2 Распределение напряженности электрического поля и потенциала в области пространственного заряда 58
2.2.3 Ширина области пространственного заряда в неупорядоченном полупроводнике 64
2.2.4 Длина экранирования электрического поля в области пространственного заряда неупорядоченного полупроводника 70
2.3 Влияние локализованных состояний на формирование и электрофизические параметры области пространственного заряда МДП-структуры на основе a-Si:H 72
Выводы по главе 2 79
Глава 3. Методика определения плотности электрически активных локализованных состояний в щели подвижности неупорядоченных полупроводников 81
3.1 Анализ методов исследования ПЛС неупорядоченного полупроводника 82
3.2 Физические основы методики определения ПЛС неупорядоченного полупроводника 84
3.3 Способ определения потенциала и напряженности электрического поля в области пространственного заряда МДП-структуры 86
3.4 Методика расчета плотности электрически активных локализованных состояний в неупорядоченных полупроводниках 90
3.5 Экспериментальные результаты определения плотности электрически активных локализованных состояний в a-Si:H средствами ACM 91
Выводы по главе 3 96
Глава 4. Расчет транзисторной тонкопленочной МДП-структуры с учетом влияния на электропроводность канала плотности локализованных состояний неупорядоченного полупроводника 97
4.1 Исходные и граничные условия расчета транзисторной тонкопленочной МДП-структуры 97
4.2 Расчет электрических характеристик транзисторной тонкопленочной МДП-структуры 98
4.2.1 Определение зависимости поверхностного потенциала в области пространственного заряда от приложенного напряжения к транзисторной МДП-структуре
4.2.2 Электрическая проводимость канала транзисторной МДП-структуры в режиме обогащения с учетом влияния локализованных состояний щели подвижности неупорядоченного полупроводника
4.2.3 Вывод аналитического выражения вольтамперной характеристики транзисторной МДП-структуры на основе неупорядоченного полупроводника 110
4.3 Оценка влияния локализованных состояний a-Si:H на
параметры тонкопленочного полевого транзистора 113
4.3.1 Режимы работы и параметры a-Si:H тонкопленочного полевого транзистора 113
4.3.2 Оценка влияния локализованных состояний a-Si:H на статические параметры ТПТ в усилительном режиме работы 121
4.3.3 Оценка влияния локализованных состояний a-Si:H на динамические параметры ТПТ в ключевом режиме работы 126
4.4 Алгоритм управления электрическими характеристиками тонкопленочных структур и параметрами неупорядоченного полупроводника в технологическом процессе 129
Выводы по главе 4 132
Основные результаты и выводы 133
Библиографический список
