Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур ZnS-GaP

Сусляков Юрий Васильевич. Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур ZnS-GaP : Дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 : Саратов, 2004 143 c. РГБ ОД, 61:05-1/347
Автор
Сусляков Юрий Васильевич
Год
2004

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Создание фотодиодов на основе InSb, PbTe и Cd_x Hg_1-x Te и анализ их функционирования в составе оптико-электронных систем
99 000 UZS
Автор
Туринов Валерий Игнатьевич
Количество страниц
Год
2004
Плёнки диоксида ванадия в устройствах индикаторной техники и микроэлектроники
99 000 UZS
Автор
Олейник Анатолий Семёнович
Количество страниц
Год
2004
Резонансный магнитоэлектрический эффект в оксиде хрома и борате железа
99 000 UZS
Автор
Никифоров Игорь Сергеевич
Количество страниц
Год
2004
Размерное травление кремния и диоксида кремния высокочастотным газовым тлеющим микроразрядом
99 000 UZS
Автор
Абрамова Елена Александровна
Количество страниц
Год
2003
Влияние миграции точечных дефектов на радиационную стойкость гетерофазного полупроводника
99 000 UZS
Автор
Бухаров Владимир Эдуардович
Количество страниц
Год
2003
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3