Введение
1 Технология получения, особенности структуры и состава пленок Pbi.xSnxTe 40
1.1 Введение 40
1.2 Установка для молекулярно-лучевой эпитаксии пленок Pbi.xSnxTe 46
1.3 Молекулярно-лучевая эпитаксия пленок Pbi.xSnxTe на полупроводниковых подложках 50
1.4 Предэпитаксиальная обработка подложек ВаБг 59
1.5 Получение, структура и химический состав нелегированных пленок Pbi.xSnxTe на подложках ВаБг 67
1.6 Получение, структура и химический состав легированных индием пленок Pbi.xSnxTe на подложках BaF2 79
1.7 Коррекция свойств пленок Pbi.xSnxTe при помощи низкотемпературных диффузионных отжигов 89
1.8 Выводы 100
2 Электрофизические и фотоэлектрические свойства нелегированных пленок Pbi.xSnxTe 101
2.1 Введение 101
2.2 Экспериментальные структуры и методы исследования свойств пленок Pb,.xSnxTe 103
2.3 Гальваномагнитные свойства пленок Pbi.xSnxTe на подложках BaF2 109
2.4 Шум в пленках Pbi.xSnxTe на подложках BaF2 127
2.5 Фотоэлектрические свойства пленок Pbi.xSnxTe на подложках BaF2 130
2.6 Рекомбинационные процессы в нелегированных пленках Pbi.xSnxTe на подложках BaF2 133
2.7. Выводы 148
Р-п- и гетеропереходы и фотоприемники на основе нслегированных пленок Pbi.xSnxTe на подложках BaF2 149
3.1. Методы изготовления фоточувствительных структур 149
3.2. Фотоэлектрические свойства фоточувствительных структур на основе р-пи гетеропереходов в Pbi-xSnxTe 158
3.3 Избыточный шум фоточувствительных структур на основе р-пи переходов в Pbi.xSnxTe и его связь с вольтамперными характеристиками 170
3.4 Характеристики одиночных фотодиодов и многоэлементных структур на основе эпитаксиальных пленок PbceSno^Te 179
3.5. Выводы 195
Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок Pbi.xSnxTe 196
4.1 Введение 196
4.2 Экспериментальные структуры и методы исследования свойств пленок Pbi.xSnxTe 211
4.2.1. Структуры для исследований 211
4.2.2. Методики исследования свойств образцов 213
4.3 Стационарные свойства Pbi.xSnxTe при постоянном токе (напряжении) 219
4.3.1. Температурные зависимости гальваномагнитных свойств Pbi.xSnxTe 219
4.3.2 Инжекционные токи в Pbi xSnxTe 229
4.3.3 Спектральные зависимости фотоответа 244
4.4 Сегнетоэлектрические свойства Pbi.xSnxTe (стационарные характеристики на переменном сигнале) 258
4.4.1 Темновые зависимости ёмкости (диэлектрической проницаемости) от температуры и напряжённости электрического поля 258
4.4.2. Ёмкость при освещении: температурные, спектральные и полевые зависимости
.25604.4.3. Частотные зависимости ёмкости при различных температурах и освещённости 265
4.5 Релаксационные характеристики 271
4.6. Обобщённая модель плёнок Pt>i.xSnxTe 277
4.6.1. Основные положения модели 277
4.6.2. Расположение уровней локальных центров и уровня Ферми, концентрация электронов в зоне проводимости 285
4.6.3. Расчет времени жизни неравновесных носителей заряда и стационарных концентраций в условиях освещения 288
4.6.4. Вольтамперные характеристики в темноте и в условиях освещения 293
4.6.5. Релаксационные характеристики 299
4.6.6. Спектральные характеристики 301
4.7. Выводы 302
Разработка технологии, изготовление и свойства матричных фото приёмников и фотоприемных структур на основе плёнок Pbi.xSnxTe 303
5.1 Введение 303
5.2. Аппаратура для измерения характеристик фотоприёмников и фотоприёмных устройств 308
5.3. Линейчатые фотоприемники. Принципы работы, разработка и изготовление фоточувствительных элементов, мультиплексоров, сборка фотоприемного устройства 308
5.4.Свойства и характеристики линейчатых фотоприёмных устройств 324
5.5. Матричные фотоприемники. Принципы работы, разработка и изготовление фоточувствительных элементов, мультиплексоров, сборка фотоприемного устройства и его характеристики 335
5.6. Свойства и характеристики матричных фотоприёмных устройств 343
5.7 Выводы 347
Заключение и выводы 348
Примечания 352
Список литературы
