Введение
Глава 1 . Термодинамические методы при исследовании распространения и устойчивости электронного потока и продольных плазменных волн в твердотельной плазме 22
1.1 .Критический анализ работ по распространению и устойчивости электронных потоков и продольных плазменных волн в твердотельной плазме 22
1.1.1 Особенности и различия распространения плазменных волн в газоразрядной и твердотельной плазме 22
1.1.2. Баллистический транспорт и пространственно-периодические структуры электронных потоков в твердотельной плазме 29
1.2. Фазовый переход типа «беспорядок-порядок» и стационарный резонанс электронных потоков в структурах с модулированной диэлектрической проницаемостью 33
1.2.1 .Основные положения математической модели фазового перехода типа «беспорядок-порядок» электронных потоков 35
1.3. Устойчивость электронных потоков при распространении в полупроводниковых структурах с модулированной диэлектрической проницаемостью 43
1.4. Взаимодействие лазерного излучения с управляемым пространственно-неоднородного распределением свободных носителей заряда в
полупроводниках А3В5 45
1.5. Устойчивость и распространение продольных плазменных волн при воздействии различных внешних факторов 50
1.6. Основные положения базовой одномерной математической модели
1.7.Выводы к первой главе 60
Глава 2. Термодинамические методы при исследовании термоупругости . 63
2.1. Критический анализ работ по применению термодинамики в исследовании термоупругих сред 63
2.2.Термоупругие свойства полимеров 70
2.3. Сравнительный анализ энергетической и энтропийной моделитермоупругой деформации 76
2.4.Матетатическая модель для описания поведения энтропии в случае термоупругих сред с учетом эффектов ангармоничности ианализ результатов 78
2.5.Выводы ко второй главе 84
Глава 3. Электрофизические, оптические и термодинамические свойства соединения внедрения LixMn02 85
3.1. Основные требования твердотельной электроники к химическим источникам тока 85
3.2. Критический анализ работ по исследованию диоксидмарганцевых структур, используемых в качестве катода в химических источниках тока с литиевым анодом 86
3.3. Механизм электрохимического восстановления диоксида марганца в апротонных электролитах 90
3.4. Методы изучения электрофизических и оптических свойств полупроводниковых материалов на основе диоксида марганца 92
3..5. Технология получения образцов, методика эксперимента и анализ полученных результатов 100
3.5.1. Технология получения образцов для оптических исследований. 100
3.5.2.Технология получения образцов для четырехзондового метода постоянного тока 104
3.5.3. Исследование оптических и термодинамических свойств LixMn02H анализ результатов 104
3.5.4. Исследование электрофизических свойств LixMn02 и
анализ результатов 111
3.6. Выводы ктретьейглаве 115
Глава 4. Фотоэлектрические, теплофизические и термодинамические свойства структур, содержащих диоксид ванадия, используемых в преобразователях изображения 117
4.1 .Сравнительный анализ свойств некоторых регистрирующих сред 117.
4.2. Роль контактных явлений в твердотельных приборах и особенности исследования гетеропереходов 121
4.3.Критический анализ работ по исследованию фазового перехода металл-полупроводник в окислах ванадия 129
4.4. Методика измерений характеристик гетероперехода CdSe-VQ2H описание экспериментальной установки 135
4.5. Особенности технологии получения пленочных гетероструктур In203-CdSe-V02 (V) 140
4.6. Электрические и фотоэлектрические характеристики пленочных структур In203-CdSe-V02 (V) 142
4.6.1. Вольтамперные характеристики и спектральные зависимости фотоотклика 142
4.6.2. Влияние температуры на ход спектральной характеристики фотоэдс 148
4.6.3. Спектральные зависимости эквивалентных параметров Яэ иСэ 153
4.6.4. Влияние температуры на спектральные
зависимости эквивалентных параметров Яэ и Сэ 158
4.6.5. Зависимости эквивалентных параметров от постоянного смещения 162 4.7. Обсуждение экспериментальных результатов 162
4.7.1. Вольтамперные характеристики и спектральные зависимости фотоотклика 162
4.7.2. Зависимости эквивалентной емкости и эквивалентного сопротивления от постоянного смещения 165
4.7.3. Спектральные характеристики эквивалентной емкости и эквивалентного сопротивления 167
4.7.4. Температурные зависимости характеристик гетероструктуры In203-CdSe-V02... 168
4.8.Термодинамика фазового перехода металл-полупроводник и оценка эффективности преобразования изображения в структурах на основе диоксида ванадия 175
4.8.1. Энтропия и скрытая теплота перехода в гетероструктуре In203-CdSe-V02 175
4.8.2. Температурный гистерезис фотоэдс гетероперехода CdSe-VQ2 177
4.8.3. Математическая модель для объяснения влияния давления на ширину гистерезиса 179
4.8.4.Математическая модель термодинамического кпд Фазового перехода в диоксиде ванадия 182
4.8.5. Математическая модель учета процессов нестационарной теплопроводности при оценке эффективности
работы преобразователя изображения на основе диоксида ванадия 184
4.9.Выводы к четвертой главе. 192
Глава 5. Состав, структура и свойства полупроводников класса А1 и термодинамические методы их исследования 196
5.1 Критический анализ работ по исследованию гетерогенных полупроводников класса А1 196
5.1.1 .Состав, структура и свойства некоторых фотопроводников на основе CdSe- CdTe 196
5.2. Фотопроводимость пленок на основе CdSe - CdTe 201
53. Невзаимность фотоэлектрических свойств пленок на основе CdSe-CdTe 203
5.4. Модель продольно-поперечного фоторезистора на основе CdSe-CdTe 206
5.5.Фотоэлектрические свойства двухслойных структур с защитным слоем на основе Cdy Pb i y S и CdSe: La 219
5.6. Фотоэлектрические свойства фотопроводников на основе CdSe :La , подвергнутых действию рентгеновского и у - излучения 230
5.7. Метод наименьших квадратов для определения скорости дефектообразования 235
5.8. Метод математического моделирования фазовых диаграмм
для анализа тройной системы CdS-CdSe-CdTe 240
5.9. Метод математического моделирования продольной фотопроводимости с учетом неоднородной генерации носителей в соединениях А11! 248
5.9.1 .Основные положения математического модели продольной фотопроводимости 248
5.9.2Анализ рассчитанной спектральной характеристики фототока 254
5.10. Выводы к пятой главе 256
Глава 6. Влияние магнитного поля на характеристики и параметры твердотельных структур и термодинамические методы описания этих явлений 259
6.1. Методы определения подвижности носителей заряда в неоднородных полупроводниковых структурах 259
6.2.Особенности эффекта магнитосопротивления в полупроводниках 264
6.3. Современные модели магнитосопротивления 269
6.4. Методика измерения магнитосопротивления и определения подвижности носителей заряда в фотопроводниках на основе CdSe 271
6.5. Ориентапионная и температурная зависимость магнитосопротивления и подвижности носителей заряда в неоднородных фотопроводниках 275
6.6. Корреляция и антикорреляция положений максимумов в спектральных зависимостях электропроводности и подвижности носителей заряда, определенной из
эффекта магнитосопротивления 276
6.7 Математическая модель эффекта магнитосопротивления в гетерогенных фотопроводниках 282
6.7.1. Основные положения, ограничения, экспериментальные предпосылки модели неоднородного магниторезистора 282
6.7.2. Математическая модель эффекта магнитосопротивления в неоднородных фотопроводниках 286
6..7.3. Влияние освещенности на магнитосопротивление в неоднородных фотопроводниках... 292
6..7.4. Термодинамическая модель магнитосопротивления неоднородного полупроводника 295
6.8. Термодинамические методы для описания влияния магнитного поля и температуры на физические свойства твердотельных структур 297
6.8.1 .Влияние внешнего магнитного поля на точку Кюри 297
6.8.2. Влияние магнитного поля и температуры на поведения энтропии и свободной энергии магнетика 299
6.9. Математическое моделирование процессов в колебательных системах и их аналогия с фазовым переходом второго рода 301
6.10. Выводы к шестой главе 308
7.Заключение 310
8.Список литературы
