Введение
ГЛАВА 1 Рекомбинационные центры в p-n-переходах на основе кремния 10
1.1. Возможные типы точечных дефектов в кремнии 10
1.2. Вакансии и межузельные атомы в в кремнии 14
1.3. . Кислород и другие примеси в кремнии 18
1.4. Анализ методов определения параметров центров рекомбинации ... 20
1.5. Выводы по обзору литературы и постановка задачи исследования... 23
ГЛАВА 2 Термостимулированная спектроскопия глубоких центров в рентгеночувствительных приемниках
2.1 Распределения концентрации примесей вблизи р-п-перехода 25
2.2 Результаты емкостных измерений и расчеты профилей концентрации. 28
2.3 Термостимулированная генерация с глубоких уровней ОПЗ в р-п-переходах
2.4 Вычисление параметров глубоких уровней с учетом температурных зависимостей коэффициентов захвата электронов
2.5 . Выводы 42
ГЛАВА 3 Распад дивакансии в области пространственного заряда кремниевого р-п-перехода
3.1. Изменение состава глубоких центров в области пространственного заряда при термостимулированном нагреве 44
3.2. Возможные модели термостимулированного распада комплексов в области пространственного заряда
3.3. Кинетические коэффициенты комплексообразования 54
3.4. Определение энергетических параметров, кинетических коэффициентов и модели изменения состава дефектов в области пространственного заряда при термостимулированном нагреве 57
3.5. Выводы 60
ГЛАВА 4 Рекомбинационные процессы в области пространственного заряда ренттеночувствительных приемников
4.1. Механизмы, формирующие прямую ветвь вольтамперной характеристики
4.2. Рекомбинационная спектроскопия центров в области пространственного заряда 65
4.2.1. Определение параметров центров рекомбинации по дифференциальному показателю наклона ВАХ
4.2.2. Приведенная скорость рекомбинации и, основанные на этом, методы определения параметров центров рекомбинации 72
4.2.3. Метод, основанный на разделении производной приведенной скорости рекомбинации dRnp (U)fdU на составляющие 77
4.3. Температурные зависимости коэффициентов захвата центров рекомбинации
4.4. Рекомбинация с участием многозарядных центров 84
4.5. Выводы 92
ГЛАВА 5 Механизмы, определяющие коэффициент полезного действия приемников рентгеновского излучения
5.1. Коэффициент полезного действия приемника рентгеновского
95
излучения
5.2. Механизмы, формирующие обратную ветвь вольтамперной характеристики 96
5.3. Влияние электрического поля на эмиссию электронов и дырок с рекомбинационных уровней 104
5.4. Влияние электрон-фононного взаимодействия на процессы генерации с участие рекомбинационных центров в сильном электрическом поле 110
5.5. Анализ путей снижения концентрации центров рекомбинации 115
5.6. Выводы 122
Заключение 123
Литература 126
