Введение
Глава 1 Природа и характеристические параметры глубоких центров в соединениях А2Вб. влияние упругих деформаций на энергетический спектр электронных состояний .
1.1 Природа и характеристические параметры центров с глубокими уровнями в соединениях АВ 11
1.1.1. Энергетический спектр электронных состояний в соединениях А2 В6 11
1.1.2 Центры прилипания 15
1.1.3 Центры рекомбинации 22
1.2 Влияние упругих деформаций на энергетический спектр электронных состояний 24
1.2.1 Влияние одноосного давления 25
1.2.2 Влияние ультразвука 26
Выводы 28
Глава II Методика и техника эксперимента
2.1 Характеристика исследованных образцов 29
2.2 Экспериментальная установка 31
2.3 Методика эксперимента 35
Глава III Влияние электрического поля поверхностного заряда микро-, нанокристаллов ZnS, ZnO на сечения захвата электронных центров прилипания
3.1 Термолюминесцентные свойства микро-, нанокристаллов на основе сульфида и оксида цинка. Характеристические параметры электронных ЦП 42
3.2 Объяснение термолюминесцентных свойств микро-, нанокристаллов на основе сульфида и оксида цинка 49
3.3 Диагностика концентрационного распределения атомов ЦП
в объеме микро-, нанокристаллов на основе ZnS, ZnO 53 3.4 Эффект Гуддена-Пуля в микрокристаллах сульфида цинка 57
3.4.1 Экспериментальные данные 57
3.4.2 Интерпретация экспериментальных данных 63
Выводы 67
Глава IV Влияние упругой деформации на энергетический спектр центров с глубокими уровнями в монокристаллах сульфида и селенида цинка
4.1 Влияние одноосного давления на энергетический спектр центров излучателыюй рекомбинации 69
4.2 Влияние ультразвуковой обработки на энергетический спектр электронных состояний в монокристаллах ZnS, ZnSe 76
4.2.1 Методика эксперимента 76
4.2.2 Влияние ультразвуковой обработки на энергетический спектр электронных ЦП в монокристаллах ZnS 77
4.2.3 Влияние ультразвуковой обработки на фотоэлектрические и люминесцентные свойства монокристаллов ZnSe 82
Выводы 89
Основные результаты и выводы 90
Литература 92
