Введение
1. Обзор литературы 14
1.1. Уравнения диффузии 14
1.2. Механизмы диффузии примесей 16
1.2.1 Прямые механизмы 17
1.2.2 Вакансионный механизм 18
1.2.3 Непрямой междоузельный механизм 19
1.2.4 Смешанный непрямой вакансионно-междоузельный механизм 20
1.2.5 Диссоциативный механизм 20
1.2.6 Механизм вытеснения 21
1.3. Особенности диффузии в полупроводниках 23
1.3.1 Влияние внутреннего электрического поля 23
1.3.2 Эффект уровня Ферми 27
1.3.3 Комплексообразование 29
1.3.4 Влияние неравновесных собственных точечных дефектов...31
1.4. Геттерирование примесей в полупроводниках 34
1.4.1 Методы геттерирования 34
1.4.2 Сегрегационное геттер ирование однородным слоем 36
1.4.3 Сегрегационное генерирование неоднородным слоем 37
1.4.4 Сегрегационно-инжскциошюе геттер ирование 39
1.5. Выводы 42
2. Методы решения систем диффузионно-кинетических уравнений 44
2.1. Метод конечных разностей 44
2.2. Метод прогонки для решения тридиагональной матрицы 47
3. Совместная диффузия ионизованных примесей в полупроводниках 49
3.1. Влияние внутреннего электрического поля па совместную диффузию примесей 49
3.2. Результаты расчётов и их обсуждение 51
3.3. Выводы 55
4. Диффузия алюминия в кремнии в нейтральной и окислительной средах 51
4.1. Диффузия Л1 по непрямому вакансионно-междоузельному механизму 58
4.2. Диффузия А1 по механизму вытеснения 60
4.3. Обсуждение результатов 65
4.4. Выводы 67
5. Сегрегационное геттерирование примесей 69
5.1. Диффузионно-кинетическая модель 70
5.2. Диффузионно-сегрегационная модель 76
5.3. Геттерирование однородным слоем 77
5.4. Обсуждение результатов и выводы 80
6. Сегрегационно-инжекционное геттерирование примесей 82
6.1. Обратная диффузия примеси по механизму вытеснения 82
6.2. Влияние степени сегрегационного геттерирования 90
6.3. Влияние пересыщения по СМА 90
6.4. Влияние плотности дислокаций 96
6.5. Обсуждение результатов 96
6.6. Выводы 101
Заключение 103
Список литературы
