Введение
Глава 1. Квантовые точки: получение, свойства, методы исследования и практические применения. 10
1.1. Формирование квантовых точек 10
1.2. Методы исследования квантовых точек 12
1.3. Особенности полупроводниковых квантовых точек InAs/GaAs 15
Глава 2. Спектроскопия одиночной квантовой точки 27
2.1. Техника спектроскопии одиночной квантовой точки 28
2.2. Спектры фотолюминесценции и фототока экситона и экситонных комплексов 32
2.3. «Спиновая память», управляемая напряжением, в одиночной квантовой точке 41
Глава 3. Спектроскопия ансамбля квантовых точек в непрерывном режиме 49
3.1. Техника подготовки образцов для спектроскопических исследований 50
3.2. Спектроскопия фототока ансамбля квантовых точек 55
3.3. Анализ спектров фотолюминесценции массива квантовых точек... 61
Глава 4. Время-разрешенная pump-probe спектроскопия ансамбля квантовых точек 72
4.1. Техника время-разрешенной pump-probe спектроскопии 73
4.2. Тонкая структура нейтрального экситона и квантовые биения 78
4.3 Исследование статистики носителей заряда в p-i-n диоде с квантовыми точками методом pump-probe спектроскопии 85
Глава 5. «Детальная статистика» носителей заряда в ансамбле квантовых точек 92
5.1 Метод «детальной статистики» для описания распределения электонов и дырок по квантовым точкам 93
5.2 Формирование пространственно разделенного биполярно заряженного состояния при инжекции носителей обоих знаков в массив квантовых точек 96
5.3 Релаксация пространственно разделенного заряженного состояния: эксперименты по затуханию фотолюминесценции 103
5.4 Влияние кулоновского взаимодействия на статистику носителей заряда в ансамбле квантовых точек 112
5.5 Применение метода «детальной статистики» к моделированию оптоэлектронных устройств: температурная зависимость порогового тока в полупроводниковых лазерах с квантовыми точками 119
Заключение 126
Литература 128
