Введение
Глава 1. Моделирование усилителя СВЧ на субмикронном НЕМТ транзисторе в нелинейном режиме 22
1.1. Коротко-канальные эффекты в субмикронном НЕМТ транзисторе и методика их моделирования 30
1.2. Описание нелинейной аналитической модели субмикронного НЕМТ транзистора 35
1.3. Расчет нелинейных элементов эквивалентной схемы НЕМТ транзистора 44
1.4. Методика интеграции модели НЕМТ транзистора в среду схемотехнического проектирования DesignLab 8.0 48
1.5. Влияние доминирующих коротко-канальных эффектов на характеристики НЕМТ транзистора 53
1.6. Модель СВЧ усилителя. Влияние коротко-канальных эффектов на характеристики электромагнитной совместимости усилителя на субмикронном НЕМТ транзисторе 63
Выводы 68
Глава 2. Моделирование усилителя на двухканальном субмикронном НЕМТ транзисторе 71
2.1. Аналитическая модель двухканального субмикронного НЕМТ транзистора 74
2.2. Влияние дополнительного канала на характеристики элементов эквивалентной схемы двухканального НЕМТ транзистора 86
2.3. Влияние дополнительного канала на характеристики электромагнитной совместимости усилителя на двухканальном субмикронном НЕМТ транзисторе 91
Выводы 92
Глава 3. Исследование шумовых характеристик СВЧ усилителей на субмикронных одно- и двухканальных НЕМТ транзисторах 95
3.1. Основные источники возникновения шумов в НЕМТ транзисторах 96
3.2. Развитие шумовой модели для субмикронных одно- и двухканальных НЕМТ транзисторов, учитывающей эффекты короткого канала 98
3.3. Влияние дополнительного канала субмикронного НЕМТ транзистора и коротко-канальных эффектов на коэффициент шума усилителя на его основе 104
Выводы 107
Глава, 4. Оптимизация конструктивных параметров и режима работы одно- и двухканальных НЕМТ транзисторов с целью улучшения характеристик помехозащищенности усилителей СВЧ на их основе 111
4.1. Влияние напряжения смещения на затворе и стоке субмикронного одноканального НЕМТ транзистора на характеристики электромагнитной совместимости МШУ 112
4.2. Влияние электрофизических и геометрических параметров субмикронного одноканального НЕМТ транзистора на характеристики электромагнитной совместимости МШУ 126
4.3. Влияние электрофизических и геометрических параметров и режима работы двухканального субмикронного НЕМТ транзистора на характеристики электромагнитной совместимости МШУ 131
4.4. Оптимизация характеристик электромагнитной совместимости в двухкаскадных усилителях СВЧ на основе одно- и двухканальных субмикронных НЕМТ транзисторах 138
Выводы 143
Заключение 145
Библиографический список использованной литературы 147
Приложение 165
