Введение
1. Модификация метода вспомогательных источников для моделирования электромагнитного рассеяния на структурах из нескольких пространственных идеально проводящих тел и особенности ее использования 22
1.1. Формулировка задачи и метод ее решения 22
1.2. Решение системы линейных алгебраических уравнений 30
1.3. Описание компьютерной программы 32
1.4. Влияние положения вспомогательных поверхностей на точность решения задачи рассеяния 44
1.5. Влияние плотности размещения диполей и точек коллокации на точность решения задачи рассеяния 51
1.6. Влияние волновых размеров рассеивателей на точность решения задачи 55
1.7. Сравнение результатов расчета характеристик рассеяния с результатами других авторов 60
1.8. Основные результаты 64
2. Модификация метода вспомогательных источников для моделирования электромагнитного рассеяния на структурах, содержащих тонкие проводники 66
2.1. Формулировка задачи и метод ее решения 67
2.2. Описание компьютерной программы 79
2.3. Исследование влияния взаимного расположения концевых точек элементов тока и точек коллокации на точность решения задачи и сходимость итерационного процесса 83
2.4. Влияние чисел элементов тока и точек коллокации на точность решения задачи 90
2.5. Исследование зависимости нормы невязки граничных условий от длины проводника 92
2.6. Сравнение точности решений задачи рассеяния плоской волны на тонком цилиндрическом проводнике, полученных с помощью различных модификаций метода вспомогательных источников 96
2.7. Сравнение результатов расчета распределений осевого тока с
распределениями физического тока на поверхности
проводников 99
2.8. Основные результаты 102
3. Применение разработанных численных методов для анализахарактеристик рассеяния структур из конечного числа трехмерных идеально проводящих тел 104
3.1. Влияние электромагнитного взаимодействия объемных рассеивателей на характеристики рассеянного поля 104
3.2. Влияние неосесимметричности рассеивателей на бистатические сечения рассеяния образованных ими структур 120
3.3. Влияние объемных тел на распределение тока вдоль проводника 128
3.4. Влияние тонких проводников на бистатические сечения рассеяния объемных тел 132
3.5. Основные результаты 137
Заключение 139
Литература 141
Приложение 150
