Введение
1. Введение 3
1.1. Актуальность темы 3
1.2. Основные цели работы 4
1.3. Научная новизна результатов, полученных в диссертации 5
1.4. Основные положения, выносимые на защиту : 6
1.5. Научная и практическая ценность 8
1.6. Достоверность результатов 9
1.7. Апробация работы 9
1.8. Публикации 12
1.9. Структура и объем диссертации 12
2. Литературный обзор 13
2.1. Гетероструктуры AlGaNflnGaN/GaN с квантовыми ямами 13
2.2. Технологии роста структур на основе GaN (MOCVD) 16
2.3. Механизмы излучательной рекомбинации в гетроструктурах 17
2.4. Электроотражение гетероструктур с квантовыми ямами типа InGaN/AlGaN/GaN 19
2.5. Конструкции светодиодов 20
2.6. Белые светодиоды. Цветовые характеристики 21
3. Излучательная рекомбинация в GaN- гетероструктурах и модель двумерной комбинированной плотности состояний 24
3.1. Модель двумерной комбинированной плотности состояний с учетом флуктуации потенциала 24
3.2. Эффективная ширина запрещенной зоны. Флуктуации потенциала и хвосты плотности состояний. Температура 25
4. Методика эксперимента 30
4.1. Экспериментальные установки 30
4.2. Зависимость спектров от температуры 33
4.3. Зависимость спектров от угла наблюдения 34
4.4. Экспериментальные методики, результаты которых использованы в диссертации 36
4.5. Исследованные образцы :.. 38
5. Экспериментальные результаты 45
5.1. Светодиоды на основе гетероструктур, выращенных на SiC-подложках 45
5.2. Светодиоды на основе гетероструктур, выращенных на АЬОз подложках 53
5.3. Анализ экспериментальных результатов моделью двумерной комбинированной плотности состояний 62
5.4. Спектры электроотражения гетероструктур с квантовыми ямами типа InGaN/AIGaN/GaN 72
5.5. Цветовые характеристики белых светодиодов и светодиодных модулей 81
6. Обсуждение результатов 98
7. Выводы 102
8. Литература
