Введение
ГЛАВА 1. Электронное строение и свойства полупроводников с наноразмерными структурами 11
1.1. Получение, структура, электронное строение и свойства пористых полупроводниковых структур (пористый кремний, пористые А3В5) 11
1.2. Получение, структура и свойства полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками на Si и А3В5 35
1.3. Теоретические основы метода ультрамягкой рентгеновской спектроскопии 47
1.4. Выводы 56
ГЛАВА 2. Методика получения образцов. Методика получения ультрамягких рентгеновских эмиссионных спектров, спектров ближней тонкой структуры рентгеновского поглощения 58
2.1. Технология получения пористых кремния и пористых фосфидов, а также их характеристики 58
2.2. Характеристики гетероструктур с квантовыми точками 63
2.3. Методика получения рентгеновских эмиссионных спектров 67
2.4. Методика получения спектров ближней тонкой структуры рентгеновского поглощения 72
2.5. Методика фазового компьютерного анализа по эмиссионным рентгеновским спектрам 77
ГЛАВА 3. Электронно-энергетическая структура пористых кремния и фосфидов типаА3В5 80
3.1. Особенности энергетического спектра валентных электронов в пористом кремнии 80
3.2. Особенности энергетического спектра свободных состояний вблизи дна зоны проводимости пористого кремния 91
3.3. Модель фотолюминесценции пористого кремния на основе сопоставления данных УМРЭС и БТСРП в единой энергетической шкале 102
3.4. Особенности энергетического спектра валентных электронов в пористых фосфидах 107
3.5. Особенности энергетического спектра свободных состояний вблизи дна зоны проводимости в пористых фосфидах типа А3В5 110
ГЛАВА 4. Электронно-энергетическая строение гетероструктур с квантовыми точками 113
4.1. Локальная плотность свободных состояний вблизи дна зоны проводимости в гетероструктурах с квантовыми точками на основе кремния 113
4.2. Локальная плотность свободных состояний вблизи дна зоны проводимости в гетероструктурах с квантовыми точками на основе фосфидов типа А3В5 120
Основные результаты и выводы 125
Л итература 126
