Введение
1. Электронные свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников 9
1.1. Электронная структура халькогенидных стеклообразных полупроводников 9
1.2. Особенности электронного спектра дефектов с отрицательной корреляционной энергией 1 1
1.3. Идентификация собственных дефектов в ХСП 13
1.4. Влияние электрического поля на.цодвижность носителей заряда и ударную ионизацию 18
1.5. Электрический пробой халькогенидных стеклообразных полупроводников 23
1.5.1. Пробой коротких разрядных промежутков 23
1.5.2. Пробой длинных разрядных промежутков 28
1.6. Постановка и обоснование задач исследования 31
2. Разработка методики и средств эксперимента 35
2.1. Методика исследования ..35
2.2. Экспериментальные образцы 35
2.2.1. Типы экспериментальных образцов 35
2.2.2. Стеклообразные полупроводники 38
2.2.3. Нанесение пленок ХСП 39
2.2.4. Модификаторы 40
2.3. Аппаратное обеспечение эксперимента ..43
2.3.1. Требования к измерительным устройствам 43
2.3.2. Экспериментальный стенд для измерения динамических характеристик пробоя 44
2.3.3. Стенд для измерения электропроводности пленок ХСП 45
2.3.4. Измерение временных рядов тока 46
2.4. Выводы 50
3. Экспериментальное исследование влияния электрического поля на электронные процессы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках 51
3.1. Исследования исходных образцов 51
3.1.1. Методы исследования исходных образцов 51
3.1.2. Определение состава и структуры пленок селенида и сульфида мышьяка 52
3.1.3. Определение состава и структуры пленок селенида и сульфида мышьяка, модифицированных комплексами РЗЭ 53
3.1.4. Измерение оптического поглощения исследуемых пленок 56
3.1.5. Измерение вольтамперных характеристик 64
3.1.6. Измерение температурной зависимости электропроводности 73
3.2. Измерение параметров электрического пробоя коротких разрядных промежутков , 77
3.2.1. Измерение времени задержки и порогового напряжения при импульсном пробое 77
3.2.2. Время-зависимый пробой 78
3.2.3. Измерение многократного пробоя 80
3.2.4. Анализ влияния комплексов РЗЭ на параметры пробоя 82
3.2.5. Измерение характера шумов при различных электрических полях 83
3.3. Измерение параметров электрического пробоя длинных разрядных промежутков 86
3.4. Выводы 88
4. Моделирование пробоя стеклообразных полупроводников 90
4.1. Механизм перколяционного пробоя ХСП.. 90
4.2. Моделирование перколяционного пробоя 91
4.2.1. Влияние электрического поля на генерацию свободного заряда 91
4.2.2. Моделирование перколяционного канала в электрическом поле 94
4.3. Заключительный этап перколяционного пробоя 100
4.4. Оценка возможного применения рассмотренной модели к другим аморфным материалам, а так же элементам энергонезависимой памяти на основе ХСП 102
4.5. Выводы 105
Заключение 107
Список опубликованных работ 109
Список литературы 111
Приложения 121
