Введение
Глава 1. Эпитиаксиальные и ионнолегированные структуры на основе фосфида галлия 10
1.1 Фосфид галлия и свойства p-n-переходов на его основе. 10
1.2 P-n-переходы, полученные эпитаксиальным наращиванием и ионным легированием .. 16
1.3 Анализ методов определения параметров центров безызлучательной рекомбинации. 21
1.4 Выводы по обзору литературы и постановка задачи исследования. 23
Глава 2. Стационарные и термостимул ированные процессы, сопровождающие измерение емкости. 26
2.1. Характеристика образцов для исследования. 26
2.2 Методики и погрешности измерения распределения концентрации примесей вблизи р-п-перехода. 29
2:3 Результаты емкостных измерений и расчеты профилей концентрации. 35
2.3.1 .Эпитаксиальные структуры. 35
2.3.2. Ионнолегированные структуры. 38
2.4. Термостимулированная генерация с глубоких уровней ОПЗ в р-п- переходах без накопления заряда (партия 1). 40
2.5 Изменение заполнения ловушек в близи середины запрещенной зоны в ОПЗ ионнолегированных р-n-переходов с накоплением заряда (партия 2). 45
2.6 Заключение к главе 2. 50
Глава 3. Рскомбинационные процессы в эпитаксиальных /?-я-переходах 51
3.1 Вольтамперные характеристики эпитаксиальных p-n-переходов при малом уровне инжекции. 51
3.2. Анализ температурных зависимостей рекомбинационных токов при малом уровне инжекции . 58
3.3. Анализ приведенной скорости рекомбинации и ее температурных зависимостей. 63 3.4.Определение параметров рекомбинационных процессов методом дифференциальных преобразований вольтамперной характеристики. 68
3.4.1. Определение параметров центров рекомбинации по дифференциальному показателю наклона ВАХ. 68
3.4.2 Метод, основанный на разделении производной приведенной скорости рекомбинации 3Ra? {U)j3V на составляющие. 72
3.4. Электролюминесценция эпитаксиальных и ионно-легированных структур фосфида галлия.
3.5. Заключение к главе 3.
Глава.4. Рекомбинационные процессы в ионно-легированных структурах . 80
4.1. Вольтамперные характеристики ионно-легированных переходов при малом уровне инжекции. 80
4.2. Анализ возможной многозарядности центров рекомбинации в ионнолегированных образцах. 87
4.3. Моделирование процессов туннельной рекомбинации в ионнолегированных образцах. 94
4.4. ВАХ эпитаксиальных и ионно-легированных переходов при высоком уровне инжекции 106
Глава 5. Изучение неоднородностей в ионно-легированных р-п- переходах . 110
5.1 Методы электронной микроскопии. ПО
5.2 Вторичная электронная эмиссия. 111
5.3 Метод наведенного тока, 112
5.4 Расчет распределения носителей вблизи дислокации. 119
5.5. Экспериментальное определение диффузионной длины, времени 129 жизни неравновесных дырок и их скорости рекомбинации на дислокации.
Выводы в диссертации
Список работ автора диссертации
Список литературы
