Перенос заряда в аморфных диэлектрических слоях структур металл-диэлектрик-полупроводник в сильных электрических полях

Агафонов Александр Иванович. Перенос заряда в аморфных диэлектрических слоях структур металл-диэлектрик-полупроводник в сильных электрических полях : ил РГБ ОД 61:85-1/1140
Автор
Агафонов Александр Иванович
Год
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
ГЛАВА I. Состояние исследований электронных процессов в мдо-структурах. 10
I.I. Общие закономерности протекания тока в аморфном диэлектрике МДП-структуры... 10
1.2. Нестабильность электрофизических характеристик МДП-структур 20
ГЛАВА II. Переходные процессы при инжекции зардца в широкозонный аморфный диэлектрик мдп-структур и их связь с нестабильностью характеристик элементов памяти 30
2.1. Особенности электронных процессов при инжекции заряда в широкозонный аморфный диэлектрик ВДП-структур 30
2.2. Переходные процессы в МДП-структурах при знакопеременной инжекции носителей заряда из полупроводника 37
2.3. Переходные процессы при двухполярной ин жекции зарядов в широкозонный диэлектрик с большим числом центров захвата 51
ГЛАВА Ш. Перенос зардца в аморфных диэлектриках на постоянном токе 71
3.1. Температурная зависимость энергии акти вации проводимости аморфных диэлектри ческих материалов 71
3.2. Проводимость аморфных полупроводников Ах В;~х с потенциальными флуктуациями краев зон подвижности 79
3.3. Теория переноса заряда в сильных электри ческих полях, основанная на изменении уровней энергии локализованных состояний в щели подвижности 94
А. Перестройка энергетического распределения локализованных состояний в щели подвижности во внешнем электрическом поле 98
Б. Перенос заряда по зоне подвижности аморфного полупроводника в сильных электрических полях 104
3.4. Анализ экспериментальных данных по переносу заряда в аморфном нитриде кремния в сильных электрических полях НО
ГЛАВА ІУ. Исследование релаксации заряда захваченного в диэлектрике структуры при многократных переключениях 121
4.1. Туннельная релаксация заряда в ОДЩ-структуpax с учетом скомпенсированного заряда в объеме диэлектрика 121
4.2. Перенос заряда в диэлектрике в электрических полях, созданных захваченным зарядом в ЩЩ-структуре 131
4.3. Влияние фотовозбуждения на процесс релаксации заряда, захваченного в аморфном нитриде кремния 140
4.4. Влияние толщины аморфного нитрида кремния на время хранения заряда в дегради рованных МНОП-элементах памяти 147
Приложение А. Программа FTT .FTA/ для исследования переходных процессов в МДП-струк-турах 155
Приложение Б. Программа COM. F ТА/ для исследования стационарной проводимости МДП-структур 158
Заключение 160
Литература

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Воробьев Юрий Васильевич
Количество страниц
Год
99 000 UZS
Автор
Воронин Игорь Николаевич
Количество страниц
Год
99 000 UZS
Автор
Баженов Николай Леонидович
Количество страниц
Год
99 000 UZS
Автор
Баранов Алексей Николаевич
Количество страниц
Год
99 000 UZS
Автор
Ахмедов Давронали
Количество страниц
Год
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3