Введение
Глава 1. Перестраиваемые по частоте диодные лазеры в средней ИК области спектра. Обзор литературы 11
1.1. Предварительные замечания. Полупроводниковые диодные лазеры средней ИК области спектра. 11
1.1.1. Лазеры на основе соединений А 13
1.1.2. Лазеры на основе соединений AniBv. 29
1.2. Тепловая перестройка частоты диодных лазеров. 38
1.3. Применение лазеров в диодно-лазерноЙ спектроскопии. 42
1.4. Выводы. 48
1.5. Постановка задачи. 50
Глава 2. Методика изготовления диодныж лазеров на основе гетероструктур InAsSbflnAsSbP
2.1. Технология выращивания лазерных гетероструктур InAsSb/InAsSbP 51
2.1.1. Использование твердых растворов соединений А В для изготовления полупроводниковых приборов .
2.1.2. Методы получения твердых растворов А3В5. 52
2.1.3. Технология постростовой обработки лазерных гетероструктур InAsSb/InAsSbP.
2.2. Конструкция гетеролазеров 55
2.3. Описание исследованных образцов 58
2.3.1. Лазеры на основе двойных гетероструктур 58
2.3.2. Лазеры с раздельным электрическим и оптическим ограничением. 58
2.4. Методика измерений спектрального и пространственного распределения излучения лазеров
2.4.1. Схема питания и модуляции 62
2.4.2. Схема механической развертки по длинам волн. 63
2.4.3. Схема механической развертки по углам. 63
2.4.4. Схема регистрации диаграмм направленности и спектров излучения 63
2.4.5. Методика измерения перестройки лазера. 64
Выводы. 67
Глава 3. Токовая перестройка длины волны излучения диодных лазеров на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP Предварительные замечания 68
3.1. Электрические и электролюминесцентные свойства лазерных диодов на основе гетероструктур InAsSbP/InAsSb/InAsSbP.
3.1.1. Вольт-амперные характеристики лазеров на основе ДГС 68 biAsSb/biAsSbP и лазеров с раздельным ограничением .
3.1.2. Вольт-фарадные характеристики гетеропереходов InAsSbP/InAsSb/InAsSbP
3.1.3. Электролюминесцентные характеристики лазеров на основе InAsSbP/InAsSb/InAsSbP
3.2. Зависимость порогового тока диодных лазеров от геометрии меза-полоска 74
и от температуры.
3.2.1. Зависимость порогового тока лазеров на основе ДГС DnAsSb/InAsSbP от геометрических параметров мезаполоска.
3.2.2. Максимальная рабочая температура лазеров 76
3.2.3. Поляризация когерентного излучения лазеров на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP.
3.2.4. Дифференциальная квантовая эффективность лазеров. 80
3.3. Перестройка диодных лазеров на основе двойных гетероструктур InAsSb/InAsSbP
3.3.1. Температурная перестройка спектра излучения лазеров. 83
3.4. Токовая перестройка спектра излучения лазеров. Предварительные замечания. 89
3.4.1. Пространственное распределение лазерного излучения в зависимости от тока (пространственные колебания
3.4.2. Быстрая перестройка длины волны излучения лазеров с током 101
Выводы. 115
Глава 4. Применение диодных лазеров на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP для записи линий поглощения газов. Предварительные замечания 116
4.1. Основные требования, предъявляемые диодно-лазерной спектроскопией і 16 высокого разрешения к перестраиваемым диодным лазерам.
4.2. Ширина лазерной линии в перестраиваемых диодных лазерах 117
4.3. Методика исследований. 121
4.4. Диодная лазерная спектроскопия на основе одномодового перестраиваемого на 100А лазера .
4.4.1. Характеристики одномодового перестраиваемого на 100А лазера на основе InAsSb/InAsSbP.
4.4.2. Спектры пропускания газов вблизи длины волны 3,2jim, измеренные при сканировании лазерным лучом.
4.5. Диодная лазерная спектроскопия в двух модах на основе лазера InAsSb/InAsSbP вблизи длины волны 3,6мкм.
4.5.1. Характеристики перестраиваемого в двух модах лазера на основе InAsSb/biAsSbP.
4.5.2. Спектры пропускания газов вблизи длины волны 3,6|лт, измеренные при сканировании лазерным лучом.
Выводы. 137
Заключение 138
Список литературы
