Получение тонких пленок GaP, AlGaAs И AlGaAsP на подложках Si методом импульсного лазерного напыления и исследование их свойств

Девицкий Олег Васильевич. Получение тонких пленок GaP, AlGaAs И AlGaAsP на подложках Si методом импульсного лазерного напыления и исследование их свойств: диссертация ... кандидата Технических наук: 05.27.06 / Девицкий Олег Васильевич;[Место защиты: ФГБОУ ВО Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова], 2017.- 112 с.
Автор
Девицкий Олег Васильевич
Год
2017
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
Глава 1 Перспективные методы получения пленок A3B5 на подложках si, их особенности и применение в качестве солнечных элементов 11
1.1 Физические свойства и возможности применения некоторых соединений A3B5
в оптоэлектронике 11
1.3 Технологические методы получения пленок A3B5 на Si 21
1.4 Особенности метода импульсного лазерного напыления 24
1.5 Тонкопленочные солнечные элементы на основе соединений A3B5 29
1.6 Выводы по главе 1 31
ГЛАВА 2 Особенности конструкции устаноновки импульсного лазерного напыления для получения ых тонких пленок соединений a3b5 на si и методы их исследования 33
2.1 Экспериментальная установка импульсного лазерного напыления для получения тонких пленок соединений A3B5 на Si 33
2.2 Методы подготовки образцов 39
2.3 Методы контроля количества микрокапель при ИЛН
2.3.1 Метод скоростной механической сепарации частиц 40
2.3.2 Метод пересекающихся факелов 42
2.3.3 Метод вибрирующей сетки 2.4 Способ получения многокомпонентных тонких пленок A3B5 на Si методом импульсного вакуумного напыления способом составной мишени 44
2.5 Выводы к главе 2 46
ГЛАВА 3 Теоритическое описание получения тонких пленок a3b5 на si методом импульсного лазерного напыления 48
3.1 Основные технологические параметры метода импульсного лазерного напыления 49
3.2 Механизм роста пленок, полученных методом импульсного лазерного напыления 55
3.3 Расчет основных параметров пленок GaP, AlxGa1-xAs и AlxGa1-x PyAs1-y на Si
3.4 Расчет технологических параметров получения солнечных элементов на основе пленок GaP и Al0.3Ga0.7As на Si 64
3.5 Выводы к главе 3 68
Глава 4 Результаты экспериментальных исследований и свойства пленок alxga1-xas, gap на si, полученных методом импульсного лазерного напыления 70
4.1 Исследование кристаллических свойств пленок GaP и Al0.3Ga0.7As на Si 71
4.2 Исследование спектров комбинационного рассеяния света пленок , GaP, Al0.3Ga0.7As и Al0.15Ga0.85As0.5P0.5 на Si 78
4.3 Исследование оптических свойств GaP на Si 81
4.4 Получение солнечных элементов на основе пленок GaP и Al0.3Ga0.7As на Si в условиях метода ИЛН 84
4.5 Выводы к главе 4 88
Благодарности 95
Список литературы 96

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Бабич Алексей Вальтерович
Количество страниц
Год
2017
99 000 UZS
Автор
Петрова Ольга Борисовна
Количество страниц
Год
2019
99 000 UZS
Автор
Желаннов Андрей Валерьевич
Количество страниц
Год
2018
99 000 UZS
Автор
Эннс Яков Борисович
Количество страниц
Год
2019
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3