Введение
Глава I. Электрохимические процессы в системе электролит - нитрид - окисел - полупроводник 11
1.1 Особенности физических процессов в системе электролит - диэлектрик - полупроводник /обзор литературы/ 11
1.2 Исследование поляризационных характеристик системы ЭНОП 22
1.3 Исследование ЭНОП систем методом динамических вольт-амперных характеристик 29
Выводы к I главе 35
Глава II. Исследование профиля захваченного заряда в диэлектрике ШОП и ЭНОП систем электрохимическими
2.1 Распределение захваченного заряда в диэлектрике ШОП структур /обзор литературы/ 36.
2.2 Исследование профиля захваченного заряда в нитриде кремния емкостными методами в системе ЭНОП .46..
2.3 Определение профиля захваченного в диэлектрике заряда методом измерения релаксационных токов в ЭДП системе /терия метода/ 57
2.4 Изучение влияния различных технологических факторов на распределение заряда в диэлектрике МНОП структур 68
Выводы к главе II , 85
Глава III. Математическое моделирование процессов переноса и захвата заряда в ШОП и ЭНОП структурах 86
3.1 Расчет профиля захваченного заряда в диэлектрике ШОП структур /обзор литературы/ 86
3.2 Методика расчета профиля захваченного заряда в диэлектрике структуры Si-S1.O2. - Si5N4 96
3.3 Расчет профиля захваченного заряда в диэлектрике структур ЭНОП и ШОП и определение параметров центров захвата в нитриде кремния 103
3.4 Моделирование характеристик накопления заряда в ШОП элементах памяти III
Выводы к главе III 116
Глава ІV. Исследование природы центров захвата заряда в нитриде кремния 118
4.1 Современные представления о природе центров захвата в нитриде кремния и деградационных изменениях их параметров /обзор литературы/ 119
4.2 Исследование неоднородных диэлектрических покрытий, методом послойной эллипсометрии 130
4.3 Исследование профиля показателя преломления и скорости травления пленок нитрида кремния методом послойной эллипсометрии 135
4.4 Исследования деградационных изменений параметров центров захвата в пленках нитрида кремния. 141
Выводы к главе ІV 150
Основные выводы диссертационной работы 164
Заключение 166
Список литературы 169
