Введение
Глава 1 Характеристика соединений А2В6 и гетер о структур на их основе (литературный обзор) 12
1.1. Свойства и особенности полупроводников А2В6 12
1.2. Гетероструктуры CdSe/ZnSe с дробно-монослойными вставками 18
1.2.1. Процесс самоформирования. Особенности структурных и оптических свойств 19
1.2.2. Стрессор - как способ управления процессом самоформирования квантовых точек 25
1.3. Исследования сине-зеленых лазеров на основе широкозонных соединений А2В6 30
1.3.1. Лазеры с накачкой электронным пучком 35
ГЛАВА 2. Аппаратное обеспечение молекулярно-пучковой элитаксии широкозонных соединений и методики исследования их свойств 38
2.1 Состав и особенности установки МПЭ 38
2.2. Методы in situ диагностики при МПЭ 43
2.3. Методы ex situ структурной и оптической характеризации эпитаксиальных слоев и гетероструктур 46
2.4. Особенности гетероэпитаксии на подложках GaAs. Формирование бездефектной границы А В /GaAs 48
2.4.1. Сульфидные пассивирующие покрытия в условиях МПЭ 51
Глава 3 Исследование эффектов самоформирования в сильнонапряженных CdSe/ZnSe низкоразмерных наноструктурах 64
3.1 Наноструктуры CctSe/ZnSe, сформированные методом стандартной МПЭ и методом эпитаксии с повышенной миграцией атомов. Структурные и оптические свойства 64
3.2. Модифицированный метод эпитаксии с повышенной миграцией атомов 87
3.3. Влияние введения субмонослоя СйТе в качестве стрессора на формирование квантовых точек CdSe в матрице ZnSe 100
3.4 Термодинамическая стабильность твердого раствора Zn^CdxSe 109
Глава 4. Лазерные гетероструктуры на основе соединений А2В для сине-зеленого спектрального диапазона 113
4.1. Лазерные гетероструктуры для оптической накачки 113
4.1.1. Исследования свойств Cd(Zn)Se/ZnMgSSe лазеров для оптической накачки 113
4.1.2. Оптимизация конструкции лазерных гетеро структур с CdSe дробно-монослойной активной областью 127
4.1.3. Интегральный лазерный конвертер А В /А N с оптической накачкой 140
4.2. Лазерные свойства двойных гетер оструктур с раздельным ограничением на основе Cd(Zn)Se/ZnMgSSe с различным типом активной области при накачке электронным пучком 143
Заключение 150
Список цитируемой литературы
