Молекулярно-пучковая эпитаксия и свойства низкоразмерных гетероструктур на основе узкозонных соединений A3B5

Семенов Алексей Николаевич. Молекулярно-пучковая эпитаксия и свойства низкоразмерных гетероструктур на основе узкозонных соединений A3B5 : Дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 СПб., 2006 180 с. РГБ ОД, 61:06-1/455
Автор
Семенов Алексей Николаевич
Год
2006
  • 99 000 UZS

Оглавление диссертации
Введение
Глава 1 Особенности МПЭ гетерострукур на основе антимонидов и арсенидов металлов третьей группы (литературный обзор) 12
1.1. Метод эпитаксии из молекулярных пучков 12
1.2. Термодинамическая модель метода МПЭ 21
1.2.1. Основные закономерности МПЭ бинарных полупроводников 22
1.3. Особенности МПЭ многокомпонентных твердых растворов с разными анионами 31
1.4. Лазерные гетероструктуры среднего ИК-диапазона на основе антимонидов металлов Ш-ей группы 35
Глава 2 Термодинамическая устойчивость многокомпонентных твердых растворов 46
2.1, Анализ термодинамической устойчивости GalnAsSb 49
2.1.1. Модель регулярного раствора 49
2.1.2, Модель "дельта параметра решетки" 61
2.2. Анализ термодинамической устойчивости твердых растворов AIGaAsSb и AlInAsSb 63
Глава 3 Аппаратное обеспечение установки МПЭ и методы диагностики 69
3.1. Установка МПЭ 69
3.1.1. Измерение и контроль температуры подложки при МПЭ 72
3.1.2. Методы in situ и ex situ диагностики эпитаксиальных слоев 74
3.1.3. Особенности конструкции крекинговых и клапанных источников. 79
3.2. Оптимизация режимов работы крекингового источника Sb 81
Глава 4 МПЭ многокомпонентных твердых растворов AIGaAsSb и AlInAsSb 88
4.1. Термодинамический анализ МПЭ многокомпонентных твердых растворов 88
4.2. Подготовительные этапы МПЭ и предварительные калибровки 93
4.3. Особенности МПЭ твердых растворов AlGaAsSb 96
4.4. Неконтролируемое встраивание сурьмы в слои InAs 109
4.5 Особенности эпитаксии твердого раствора AlInAsSb с составами вблизи границы области несмешиваемости 113
Глава 5. Наногетероструктуры с квантовыми точками InSb/InAs 120
5.1. Особенности МПЭ и структурные свойства CMC вставок InSb в матрице InAs(Sb) 120
5.2. Люминесценция и электронные свойства CMC InSb 132
5.3. Особненности осаждения и структурные свойства КТ InSb с толщинами более 1 МС 143
5.4. Гибридные AlJtGai.JCAsySb|.yInAs/MgjCCdi JfSe гетер оструктуры инжекционных лазеров среднего ИК диапазона с КТ InSb в активной области 149
Заключение 155
Цитируемая литература 158
Работы, вошедшие в диссертацию 177
Благодарности 180

Рекомендуем вам товары

99 000 UZS
Автор
Меньшикова Татьяна Геннадьевна
Количество страниц
Год
2006
99 000 UZS
Автор
Сизов Сергей Викторович
Количество страниц
Год
2006
99 000 UZS
Автор
Аливов Яхия Ибрагимович
Количество страниц
Год
2005
99 000 UZS
Автор
Стародубцев Александр Александрович
Количество страниц
Год
2006
99 000 UZS
Автор
Школьник Алексей Сергеевич
Количество страниц
Год
2006
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3