Введение
Глава 1. Литературный обзор 8
Глава 2. Методика эксперимента и описание образцов. 19
2.1.Методика эксперимента. 19
2.1.1. Методика выращивания однослойных массивов InAs/GaAs квантовых точек. 19
2.1.2. Методика проведения спектральных исследований. 26
2.1.3. Методика измерения абсолютной величины квантового выхода в гетероструктурах . 28
2.1.4. Методика проведения фотолюминесцентных измерений с временным разрешением 31
2.2. Описание образцов. 34
2.2.1. Исследование спектров фотолюминесценции. 34
2.2.2. Идентификация энергетических состояний в квантовых точках. 38
2.2.3. Исследование спектров фотолюминесценции в диапазоне температур от 77К до 300К при различных уровнях возбуждения. 40
Глава 3. Рекомбинационные процессы в квантовых точках при малой степени заселенности квантовых точек 45
3.1. Вреліена жизни неравновесных носителей заряда в квантовых точках при малой степени заселенности квантовых точек. 45
3.2. Процессы переноса носителей в массивах квантовых точек. 52
3.3. Моделирование процессов переноса носителей в массивах квантовых точек . 57
Глава 4. Рекомбинационные процессы в квантовых точках при высоких уровнях июісекции носителей . 63
4.1 Эффект заполнения основного энергетического состояния в квантовых точках 63
4.2. Исследование значения величины внутренней квантовой эффективности в массивах квантовых точек в широком температурном диапазоне . 71
4.3. Рекомбинационные процессы в квантовых точках при температуре 5К. 74
4.4. Рекомбинагщонные процессы в квантовых точках при температуре 77К. 78
4.5. Расчет зависимости коэффициента безызлучателыюй Оже-рекомбинаг\ии в квантовых точках от температуры и радиуса квантовой точки. 87
4.6. Влияние неравновесных носителей заряда в барьерной области на рекомбинационные процессы в квантовых точках 101
Заключение 107
Литература 114
