Введение
1. Радиационные дефекты в CdxHgUxTe при облучении высокоэнергетическими частицами и ионами 15
1.1. Методы выращивания материала CdxHgi.xTe. Дефекты структуры, определяющие электрофизические свойства 16
1.2. Влияние радиационных воздействий на свойства кристаллов CdxHgi xTe 26
1.2.1. Облучение высокоэнергетическими электронами и у-квантами кристаллов CdxHg[.xTe 27
1:2.2. Ионная имплантация в кристаллы Cd^Hgj Те 32
Выводы 47
2. Измерение электрофизических параметров, выращенного методом молекулярно-лучевои эпитаксии 50
2.1. Подготовка образцов CdxHgi xTe. Методика измерений 51
2.2. Особенности определения электрофизических параметров эпитаксиальных пленок CdxHgi xTe с варизонными слоями 55
2.2.1. Основные положения физической модели 56
2.3.1. Влияние широкозонного варизонного слоя на результаты измерения электрофизических параметров эпитаксиальных пленок CdxHgi.KTe 66
2.3.2. Влияние узкозонного варизонного слоя на результаты измерения электрофизических параметров эпитаксиальных пленок CdxHg^Te 73-
2.3.3. Определение электрофизических параметров варизонных эпитаксиальных пленок CdxHgi.xTe 76
Выводы 81
3. Исследование влияния облучения электронами и у - квантами на электрофизические и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок CdxHg^Te 83
3.1. Методы исследований 84
3.2. Облучение мощными импульсными пучками электронов 86
3.3. Облучение высокоэнергетическими электронами и у-квантами 94
Выводы 102
4. Моделирование процесса радиационного дефектообразования в крт при ионной имплантации 104
4.1. Основные положения модели радиационного дефектообразования в CdxHgi xTe при ионной имплантации 105
4.2. Определение коэффициента комплексообразования РД и оценка влияния внутреннего электрического поля на миграцию первичных 109
4.3. Моделирование процесса радиационного дефектообразования при облучении объемных кристаллов CdxHgi xTe ионами аргона 114
Выводы 125
5. Динамика накопления и профили распределения электрически активных дефектов в эпитаксиальных пленках cdxhgnte, облученных ионами N2+> Ar+, В+ 126
5.1. Методики исследования, при ионной имплантации CdxHgi.xTe 127
5.2. Имплантация ионов аргона и молекулярного азота, в эпитаксиальные пленки CdxHgj.xTe 129
5.3. Имплантация ионов бора в варизонные эпитаксиальные пленки CdxHgt xTe 141
5.3.1. Интегральные электрофизические характеристики 143
5.3.2. Профили пространственного распределения электрофизических характеристик 150
5.4. Анализ процессов радиационного дефектообразования в варизонных
эпитаксиальных пленках CdxHgt.xTe при ионной имплантации 165
Выводы 187
Заключение 190
Литература
