Введение
ГЛАВА 1. ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ С ТОНКИМИ ПЛЕНКАМИ ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ТИПА МПДП 10
1. Электростатические характеристики МПДП гетероструктур, 10
1.1 Распределение потенциала в монокристаллических полупроводниковых слоях при толщинах, сравнимых с дебаевской длиной экранирования 12
1.2. Электростатические модели многослойных структур на базе системы диэлектрик-полупроводник 16
1Л .3. Модель идеальной МПДП структуры 24
1.2. Влияние локализованных зарядов в диэлектрике и в слое на электростатические характеристики МПДП структуры 28
1.2 Л. Влияние фиксированного заряда вД 28
1.2.2. Влияние пограничных состояний 31
1.3. Получение пленок полупроводниковых соединений методами термического напыления в открытом и квазизамкнутом объемах 37
1.3.1. Напыление в "открытом объеме" 37
1.3.2. Получение пленок Ga2Se3 в квазизамкнутом объеме 38
Цели и задачи 43
ГЛАВА 2. ФОРМИРОВАНИЕ ПЛЕНОК Ga2Se3 И ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В ПОЛЕВЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ Ме-Ga2Se3 - Si ПРИ РАДИАЦИОННЫХ ВОЗДЕЙСТВИЯХ И ВАРЬИРОВАНИИ МЕТАЛЛА КОНТАКТА 46
2.1. Получение пленок селенида галлия в квазизамкнутом объеме из независимых источников галлия и селена 46
2.2. Механизм устойчивости к облучению у-квантами полевых гетероструктур типа МДП на основе кремния 50
2.3. Высокочастотные вольт-фарадные характеристики гетероструктур Me - Ga2Se3 - Si с различными металлическими
контактами , 57
Выводы 59
ГЛАВА 3. МОДЕЛЬ МПДП СТРУКТУРЫ С УЧЕТОМ КОНТАКТНОЙ РАЗНОСТИ ПОТЕНЦИАЛОВ МП И ЦЕНТРОВ ЛОКАЛИЗАЦИИ ЗАРЯДА В П* И НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА ПД 62
3.1. Математическая модель и алгоритм расчета ВЧ С - V характеристик 62
3.2. Влияние центров локализации заряда на границе ПД на электростатические характеристики МПДП структур 76
3.3. Влияние контактной разности потенциалов на
электростатические характеристики МПДП структуры 84
3.4. ВЧ C-V характеристики МПДП структур с центрами
локализации заряда и с контактной разностью потенциалов МП 88
Выводы 96
ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ КОНТАКТНОЙ РАЗНОСТИ ПОТЕНЦИАЛОВ МП НА ЗАРЯДОВЫЕ СОСТОЯНИЯ ЦЕНТРОВ В ГГ И ИХ УЧАСТИЕ В ЛОКАЛИЗАЦИИ ЗАРЯДОВ ИЗ ПОДЛОЖКИ П В МЩД)П СТРУКТУРЕ 97
4.1. Определение сродства к электрону для Ga2Se3 из исследования внутренней фотоэмиссии в гетероструктуре Ga2Se3 -(SiOJSi 97
4.2. Энергетическая диатрамма гетероструктуры Me - Ga2Se3 -(SiOJSi и туннельный механизм участия центров локализации заряда Ga2Se3 в ПЭС кремния 102
4.3. ВЧ C-V характеристики гетероструктуры Me - Ga2Se3 -(SiOJSi на основе 5г-типа Выводы 114
Основные выводы и результаты 115
Литература 116
