Введение
ГЛАВА 1. ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРОЦЕССЫ НА ПОВЕРХНОСТИ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ 12
1.1. Поверхностные электронные состояния на GaAs 12
1.1.1. Электронные процессы, происходящие на поверхности арсенида галлия при абсорбции кислорода 12
1.1.2. Электронные процессы, происходящие на поверхности арсенида галлия при нанесении металлических покрытий 15
1.2. Реконструкция поверхности арсенида галлия 24
1.2.1. Реконструкция поверхности арсенида галлия при расколе кристалла в сверхвысоком вакууме 24
1.2.2. Реконструкция поверхности арсенида галлия в процессе обработки в халькогенсодержащих средах 29
1.3. Пассивация поверхности арсенида галлия обработкой в халькогенах 43
1.3.1. Халышгенидная пассивация из растворов 44
1.3.2. Халышгенидная пассивация из газовой фазы 47
1.4. Наноструктуры на основе арсенида галлия 53
Выводы по главе 1 61
ГЛАВА 2. ОБРАЗОВАНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ СЛОЕВ СЕЛЕНИДА ГАЛЛИЯ НА ПОВЕРХНОСТИ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ ПРИ ОБРАБОТКЕ В ПАРАХ СЕЛЕНА 63
2.1. Формирование гетеро- и наноструктур в системе Ga2Se3/GaAs для исследования 63
2.1.1. Подготовка подложек арсенида галлия 63
2.1.2. Получение слоев селенида галлия методом гетеровалентного замещения 64
2.2. Структурно-фазовые превращения на поверхности GaAs(lOO) при обработке в парах селена 65
2.2.1. Утонение образцов GaAs и GaAs(lOO)/ Ga2Se3 для дифракционных исследований в просвечивающем электронном микроскопе 65
2.2.2. Электронно-микроскопические исследования структур GaAs(lOO)-Ga2Se3 66
2.3. Топология поверхности арсенида галлия, обработанной в парах селена 79
Выводы по главе 2 90
ГЛАВА 3. ИЗМЕНЕНИЕ ПОЛОЖЕНИЯ УРОВНЯ ФЕРМИ В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ ПРИ ОБРАБОТКЕ В ПАРАХ СЕЛЕНА 91
3.1. Методы измерений электрофизических параметров диодов Шоттки Ме(А1, Au)/GaAs и Me(Al,Au)/Ga2Se3/GaAs 92
3.1.1. Метод вольт-амперных характеристик 92
3.1.2. Метод вольт-фарадных характеристик 93
3.1.3. Температурная зависимость ЦТ 93
3.2. Электрофизические характеристики диодов Шоттки Me (AI, Au)/GaAs, сформированных до обработки поверхности арсенида галлия в парах селена 94
3.3. Электрофизические характеристики диодов Шоттки Me (Au, Al)/GaAs после обработки поверхности арсенида галлия в парах селена (структура Me - Ga2Se3 ~ GaAs) 99
Выводы по главе 3 110
ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ ОБРАБОТКИ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ В ПАРАХ СЕЛЕНА НА НЕОДНОРОДНОСТЬ ПОВЕРХНОСТИ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ 111
4.1. Влияние неоднородности поверхности арсенида галлия на электрофизические свойства диодов Шоттки Me (Au, AI)/GaAs 111
4.2. Получение атомно-гладкои поверхности арсенида галлия 119
Выводы по главе 4 130
Выводы по диссертации 131
Список цитируемой литературы 132
