Введение
ГЛАВА 1. Радиационные эффекты, планарная неодородность и методы их исследования в МДП структурах 10
1.1. Радиационное дефектообразование в системе Si-Si02 10
1.1.1. Природа и механизмы образования радиационных дефектов 10
1.1.2. Физико-математическая модель накопления радиационно-индуцированного заряда 14
1.2. Радиационные эффекты в МДП структурах 21
1.2.1. Влияние ионизирующей радиации на структуру Si-Si02 21
1.2.2. Влияние радиационного воздействия на электрические параметры МДП транзисторов 25
1.3. Планарная неоднородность МДП структур 29
1.3.1. Причины и физические модели планарной неоднородности 29
1.3.2. Радиационно-стимулированная неоднородность 33
1.4. Методики исследования радиационных эффектов и планарной неоднородности в МДП структурах 35
1.4.1. Емкостные методики 35
1.4.2. Методика подпороговых вольт-амперных характеристик 38
1.4.3. Бесконтактные методики с использованием зонда Кельвина 41
Цели и задачи 46
ГЛАВА 2. Влияние планарной зарядовой неоднородности и ионизирующего излучения на свойства МДП структур 47
2.1. Методы исследования и экспериментальные установки 47
2.1.2. Метод высокочастотных вольт-фарадных характеристик 53
2.2. Методика моделирования вольт-фарадных характеристик планарно-неоднородных МДП структур 55
2.3. Подготовка образцов и условия проведения эксперимента 62
2.4. Экспериментальные результаты и их обсуждение 63
2.4.1. Влияние радиационного излучения на неоднородность параметров структуры Si-Si02 63
2.4.2. Влияние радиационного излучения на зарядовые свойства структуры Si-Si02 71
Выводы к главе 2 80
ГЛАВА 3. Влияние радиационного воздействия на электрические параметры МОП транзисторов 82
3.1. Условия проведения эксперимента 83
3.2. Методика расчета параметров МДПТ 83
3.3. Экспериментальные результаты и их обсуждение 85
Выводы к главе 3 92
ГЛАВА 4. Кинетика релаксации радиационного заряда в МДП структуре 93
4.1 Механизмы релаксации радиационно-индуцированного заряда 93
4.2. Математическая модель релаксации радиационного заряда 98
4.3. Результаты моделирования и их обсуждение 102
Выводы к главе 4 109
Заключение 110
Список литературы 112
