Введение
I. Литературный обзор
1. Потребности рынка в светоизлучающих приборах видимого диапазона. Основные применения, дисплеи, освещение, оптическая запись информации 5
2. Исторические способы получения СИ структур видимого диапазона. Широкозонные соединения II-VI, светодиоды на основе органических соединений, первые работы по исследованию нитридов третьей группы 7
3. Получение эффективных инжекционных светоизлучающих приборов на основе нитридов третьей группы и реализация высокой эффективности излучательной рекомбинации при высокой концентрации прорастающих дислокаций. Роль локализации нервавновесных носителей заряда 8
4. Основные свойства нитридов элементов третьей группы 12
5. Исследования оптических свойств нитридов третьей группы и определение физической природы центров локализации 16
6. Целенаправленное получение и исследование свойств InGaN КТ 21
7. Получение и применение квантовых точек In(Ga)As 27
II. Описание эксперимента
8. Описание технологии эпитаксиалыюго выращивания светоизлучающих приборов на основе III/N 30
9. Описание методик характеризации 35
III. Получение квантовых точек InGaN
10. Выращивание, характеризация и общие свойства квантовых точек InGaN 40
11. Техника дефектоубирания в квантовых тчках 49
12. Применение дефектоубирания в системе точек InGaN 56
13. Влияние давления в реакторе на формирование квантовых точек InGaN 60
14. Применение стимулированного фазового распада для усиления локализации в
квантовых точках InGaN 60
IV. Исследование квантовых точек InGaN и светоизлучающих приборов на их основе
15. Описание статистической модели электронно - оптических свойств массивов квантовых точек InGaN 67
16. Верификация модели в системе квантовых точек InGaAs/GaAs 78
17. Исследование электронно - оптических свойств структур с различной энергией активации 81
18. Исследование кинетики выброса носителей из КТ 87
19. Температурные и мощностные зависимости ФЛ InGaN КТ 95
20. Особенности инжекции в структурах с InGaN/GaN квантовыми точками 102
21. Подавление безызлучательных потерь, ответственных за квантовую эффективность 113
22. Повышение температурной стабильности квантовой эффективности в светодиодах с глубокими квантовыми точками InGaN 125
23. Неоднородная инжекция на излучательные уровни 128
V. Влияние КТ на характеристики лазерных структур .
24. Дизайн и выращивание лазерных структур на основе нитридов третьей группы. 134
25. Выжигание спектральных дыр в лазерных структурах с глубокими квантовыми точками InGaN 138
Заключение
