Разработка и исследование гетероструктур InGaAsP/InР легированных различными примесями для высокоэффективных излучателей

Гацоев, Казбек Аркадьевич. Разработка и исследование гетероструктур InGaAsP/InР легированных различными примесями для высокоэффективных излучателей : Дис. ... канд. физико-математические науки : 01.04.10.-
Автор
Гацоев, Казбек Аркадьевич
Год

  • 99 000 UZS

Рекомендуем вам товары

Релаксация неравновесного обеднения на поверхности кремния при сильных электрических полях
99 000 UZS
Автор
Кириллова Светлана Ильинична
Количество страниц
Год
Изучение состояния фоновых примесей кислорода и углерода в арсениде галлия
99 000 UZS
Автор
Аккерман Зиновий Лейбович
Количество страниц
Год
Электрофизические свойства полупроводниковых гетероструктур In2Te3/InAs и In2xGa2(1-x)Te3/InAs
99 000 UZS
Автор
Михайлюк Екатерина Андреевна
Количество страниц
Год
2016
Резонансно-туннельные спиновые явления в полупроводниковых гетероструктурах
99 000 UZS
Автор
Рожанский Игорь Владимирович
Количество страниц
Год
2016
Получение и исследование наноструктурированных гибридных материалов InSb-MnSb с высокими критическими температурами
99 000 UZS
Автор
Алам Махмудул
Количество страниц
Год
2013
Новостной блок
Модули для Opencart 2, Опенкарт 3