Введение
1. Состояние вопроса 8
1.1. Применение низкотемпературной плазмы для генерации химически активных частиц 8
1.2. Каталитический способ генерации химических активных частиц 14
1.3. Методы формирования и физико-химические свойства высокодисперсных порошков металлических и полупроводниковых элементов 18
1.4. О возможности применения хлоридов и сульфидов для получения тонких пленок 22
2. Изыскание возможности использования механизмов разложения некондиционного гидрида алюминия в получении полупроводниковых пленок и порошков 28
2.1. Описание плазмохимической установки 28
2.2. Математическое описание механизмов образования и разложения гидрида алюминия 30
2.3. Исследование роли гидрида алюминия в осуществлении химических реакций образования мелкодисперсных порошков антимонида индия 37
2.4. Особенности формирования высокодисперсных порошков сульфида свинца 43
3. Гомогенная и гетерогенная химическая реакция образова ния металлических нитрид пых пленок и порошков 47
3.1. Описание вакуумной установки 47
3.2. Получение и исследование металлических частиц алюминия и их стабилизация бензолом 50
3.3. Гомогенная реакция аммиака и паров хлорида алюминия в потоке плазмы и получения пленок нитрида алюминия 53
3.4. Математическая модель процесса получения тонких пленок в вакууме методом испарения 58
3.5. Гетерогенная химическая реакция получения порошков карбида бора 74
Выводы 80
