Введение
Глава 1. Особенности методов РД и ВИМС анализа полупроводниковых гетероструктур11
1.1 Анализ и обработка экспериментальных данных. Прямая и обратная задачи физического эксперимента 12
1.2 Особенности РД анализа многослойных полупроводниковых гетероструктур 15
1.3 Послойный анализ полупроводниковых гетероструктур методом ВИМС 30
1.4 Совместное использование методов РД и ВИМС для диагностики многослойных гетероструктур 41
1.5 Выводы из главы 1. Постановка цели и задач исследований 45
Глава 2. Обработка данных послойного ВИМС анализа с учетом функции разрешения по глубине 48
2.1 Решение прямой задачи послойного анализа 48
2.2 Деконволюция профилей ВИМС 55
2.3 Восстановление профилей ВИМС с учетом нестационарных эффектов 69
2.4 Восстановление профилей, полученных в режиме быстрого послойного анализа 85
2.5 Выводы из главы 2 94
Глава 3. Использование дополнительной информации при обработке данных рентгенодифракционных экспериментов 96
3.1 Использование априорной информации о временах роста слоев гетероструктуры 96
3.2 Совместное использование данных рентгеновской дифрактометрии и малоугловой рефлектометрии 107
3.3 Учёт отклонений от закона Вегарда при анализе состава твёрдых растворов AlxGa1-xAs
методом рентгеновской дифрактометрии 112
3.4 Выводы из главы 3 118
Глава 4. Совместное использование методов РД и ВИМС для анализа многослойных гетероструктур 119
4.1 Калибровка чувствительности масс-спектрометра по РД данным для количественного элементного анализа гетероструктур на базе твердого раствора Si1-хGeх 119
4.2 Калибровка чувствительности масс-спектрометра по РД данным для количественного элементного анализа гетероструктур на базе твердого раствора AlхGa1-хAs 128
4.3 Перекрестное сравнение результатов РД и ВИМС анализа: алгоритмы обработки и сравнения, выявление систематических погрешностей 133
4.4 Выводы из главы 4 151
Заключение 152
Список работ автора по теме диссертации 155
Список цитируемой литературы 158
