Введение
ГЛАВА 1. Аналитический обзор по вопросам эпитаксии карбида кремния на кремнии 11
1.1. Способы получения и особенности технологии роста гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si 12
1.1.1. Методы подготовки подложек 14
1.1.2. Методики формирования буферного слоя 16
1.1.3. Процессы осаждения 3C-SiC на кремниевые подложки 27
1.2. Базовые методы исследования структур 3C-SiC/Si 34
ГЛАВА 2. Разработка технологии газофазного осаждения карбида кремния на кремниевые подложки 45
2.1. Описание установки газофазного осаждения карбида кремния 45
2.2. Разработка конструкции реактора 48
2.2.1. Выбор геометрии реактора 48
2.2.2. Выбор материалов для изготовления оснастки реактора 49
2.2.3. Конструкция реактора 50
2.2.4. Перспективы увеличения площади подложек 53
2.3. Подготовка подложек к процессу осаждения 55
2.4. Методики формирования буферного слоя 56
2.4.1. Карбидизация поверхности монокристаллического кремния 56
2.4.2. Карбидизация нанопористого кремния 61
2.4.3. Использование нанопористого кремния без карбидизации 63
2.5. Методика выращивания эпитаксиальных слоев 63
2.5.1. Влияние технологических параметров на характеристики эпитаксиального слоя 64
2.5.2. Влияние параметров буферного слоя на характеристики эпитаксиального слоя 79
ГЛАВА 3. Использование гетероструктур SIC/SI для создания мембран МЭМС 84
3.1. Перспективы использования структур З С- SiC/Si в качестве мембран в МЭМС 84
3.2. Методика изготовления мембран на основе 3C-SiC/Si 85
3.3. Методика исследования и результаты измерения механических напряжений в ЗС-SiC мембранах 86
ГЛАВА 4. Разработка гетероструктур sic/si для микроэлектронных приборов 90
4.1. Перспективы использования гетероперехода n-SiC/p-Si для фотоприемников, фотовольтаических преобразователей и транзисторных структур с широкозонным эмиттером 90
4.2. Методика изготовления экспериментальных образцов диодных структур 91
4.3. Исследование вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик гетероструктур 3C-SiC/Si 94
4.3.1. Структура с изотипным гетеропереходом n-SiC/n-Si 94
4.3.2. Структура с анизотипным гетеропереходом n-SiC/p-Si 95
4.3.3. Определение диффузионного потенциала на основе анализа вольт-амперных и C-V характеристик 97
4.4. Анализ процессов транспорта носителей заряда в гетероструктурах n-SiC/p-Si 100
Заключение 102
Литература
