Введение
Глава I. Свойства, методы формирования и области применения тонких сегнетоэлектрических пленок ЦТС 11
1.1. Сегнетоэлектрические материалы и их свойства 11
1.2. Методы формирования тонких сегнетоэлектрических пленок ЦТС и структур на их основе 14
1.2.1. Методы формирования тонких сегнетоэлектрических пленок ЦТС 14
1.2.2. Метод формирования структур на основе пленок ЦТС 23
1.3. Запоминающие устройства на основе тонких сегнетоэлектрических пленок 36
1.4. Выводы по главе I 47
Глава II. Растровая электронная и атомно-силовая микроскопия тонких пленок ЦТС 50
2.1. Растровая электронная микроскопия тонких пленок ЦТС 51
2.2. Атомно-силовая микроскопия тонких пленок ЦТС 61
2.3. Выводы по главе II 71
Глава III. Процессы вакуумно-плазменного травления тонких пленок ЦТС и их влияние на электрические свойства 75
3.1. Реактивно-ионное травление тонких пленок ЦТС 75
3.2. Ионно-лучевое травление тонких пленок ЦТС 82
3.3. Влияние процессов вакуумно-плазменного травления на электрические свойства тонких пленок ЦТС 86
3.4. Выводы по главе III 98
Глава IV. Исследование конструкторско-технологических особенностей СЗУ различных производителей и перспективы развития технологии СЗУ 100
4.1. СЗУ компании Texas Instruments 100
4.2. СЗУ компании Cypress Semiconductor / Ramtron International 107
4.3. СЗУ компании Fujitsu Limited 112
4.4. СЗУ компании Lapis Semiconductor 118
4.5. Послойное препарирование кристаллов СЗУ в рамках технологии анализа отказов ИС 122
4.6. Перспективы развития технологии СЗУ 139
4.7. Выводы по главе IV 149
Заключение 152
Список литературы 158
